льше УСИ для зразків на КНС структурах (1,2 В· 10 11 условн. од/с). При збільшенні рівня впливу більш УСИ кількість помилок у СОЗУ на 6-ти транзисторних осередках різко збільшувалося від нуля до декількох сотень помилок, в відміну від СОЗУ на 10-ти транзисторних елементах пам'яті, для яких кількість помилок зростала від нуля до декількох десятків помилок. Механізм виникнення збоїв інформації в СОЗУ на 6-ти транзисторних елементах пам'яті імовірно пов'язаний зі збоями самих осередків пам'яті, а в СОЗУ на 10-ти транзисторних осередках пам'яті - з взаємовпливом осередків пам'яті. УСИ КНС БІС на 6-ти транзисторних комірках пам'яті становив 1,2 В· 10 11 условн. од/с. Рівень збереження інформації та характер зміни імпульсної реакції струму споживання зразків на КНІ структурах не залежать від способу підключення підкладки до нульового потенціалу або до потенціалу джерела живлення.
Імпульсна реакція струму споживання залежить від варіанту виконання КМОП СОЗУ. При рівнях впливу до 1 в€™ 10 11 условн. од/с характер зміни імпульсної реакції струму споживання КНС СОЗУ збігається з характером зміни імпульсної реакції струму споживання КНС СОЗУ на 6-ти транзисторних елементах пам'яті при підключенні підкладки до нульового потенціалу. При рівнях впливу від 1,2 в€™ 10 11 до 7 в€™ 10 11 условн. од/с характери зміни імпульсної реакції струму споживання в КНС та КНС СОЗУ на 6-ти транзисторних елементах пам'яті збігаються і не залежать від способу підключення підкладки. При рівнях впливу від 7 в€™ 10 11 условн. од/с до максимально досягнутого 2,5 в€™ 10 12 условн. од/с характер зміни імпульсної реакції струму споживання не залежить від способу підключення підкладки, а середні значення амплітуд відгуків імпульсної реакції струму споживання КНС СОЗУ і КНС СОЗУ на 10-ти транзисторних елементах пам'яті становили, відповідно, 865 мА і 850 мА, а для КНС СОЗУ на 6-ти транзисторних елементах пам'яті - 910 мА.
У результаті досліджень з впливу повної дози опромінення встановлено, що рівень відмови по функціонуванню (за здатністю запису і зчитування інформаційного коду) склав 2 в€™ 10 4 условн. од. для КНС СОЗУ при підключенні підкладки до потенціалу живлення для 6-ти і 10-ти транзисторних і 6 в€™ 10 4 условн. од. для КНС та КНС при підключенні до нульового потенціалу. Струм споживання КМОП БІС СОЗУ 8К в режимі зберігання до рівня функціонального відмови залежить від варіанту реалізації досліджених зразків ВІС (КНС або КНС структури), від способу підключення підкладок і від варіанту реалізації осередків пам'яті.
Щодо причини підвищеної стійкості до імпульсному впливу БІС на КНС структурах у порівнянні з КНС структурами ми вважаємо, що це пов'язано в основному з одним фактором, який принципово відрізняє КНС та КНС структури - можливістю підключення підкладки КНС структу...
