з максимумом при 540 нм. p> Фотополупроводннковие властивості були виявлені у всіх досліджених зразків полімеру ААФБ з різним ступенем конверсії. Для отримання порівнянних результатів спектри фотоструму віднесені до одиниці падаючої енергії. Для більшості досліджених зразків фотострум приблизно лінійно залежить від інтенсивності падаючого світла (10 12 - 10 14 квант/см 2 с) у всьому дослідженому спектральному діапазоні. Фотопровідність в напрямку характерного подовження кристалічних зразків, що збігається, мабуть, з напрямком полімерних ланцюгів, в 10 2 рази більше, ніж у перпендикулярному напрямку. Спектри фотопровідності являють собою криві, монотонно зростаючі на три порядки в спектральній області від 900 до 300 нм (рис. 4). Спектри фотопровідності не повторюють спектри поглинання. У області максимального поглинання кристалічних зразків (530-680 нм) НЕ спостерігається максимуму фотопровідності. Аналогічний результат отримано і в роботі [8] для полідіацетілен-біс-(л-толуолсульфоната). Автори цієї роботи показали, що поглинання кристала в області 550-630 нм обумовлено збудженням фотоелектричної неактивних екситонних станів полімерної макромолекули, тоді як освіта носіїв відбувається в результаті більш короткохвильового переходу валентна зона - зона провідності полімерного ланцюга. При цьому поглинання, обумовлене переходом зона - зона, малоінтенсивної і приховано сильним ЕКСІТОН поглинанням кристала.
Мономер ААФБ володіє високою питомою темнова опором (0,5 -10 15 Ом-см). Фотоелектрична чутливість мономерного зразка мала (1,2-10 -8 А/Вт) і обумовлена освітою в кристалі деякої кількості макромолекул під впливом опромінення видимим світлом. Збільшення концентрації і рухливості носіїв із зростанням кількості та довжини полімерних ланцюгів при полімеризації призводить до збільшення фотоелектричної чутливості в полімерних зразках зі ступенем конверсії 8% до 6,0-10 ~ 7 А/Вт і до зменшенню темнового опору до 0.5-10 13 Ом-см.
Після часткової екстракції мономера спиртом фотоелектрична чутливість збільшується на три порядки (5 ^ акс = 3,0-10 -4 А/Вт) і темновое опір зменшується до 0,5-10 10 Ом-см. <В
Рис. 4. Спектральна фотоелектрична чутливість кристалів ААФБ мономера (1), полімеру зі ступенем конверсії 8% (2) і полімеру після обробки спиртом (3)
При обробці заполімерізованних кристалів спиртом непрореагіровавшій мономер видаляється лише з поверхневих шарів кристала (таким способом відмивається лише ~ 10% від загальної кількості непрореагировавшего мономера), і в цих шарах, мабуть, відбувається агрегація полімерних молекул. Тому пов'язане з такою обробкою різке збільшення темнової і фотопровідності свідчить про те, що ця провідність є поверхневою. Обробка зразків розчинником з додаванням 1 2 супроводжується подальшим збільшенням фотоелектричної чу...
