Нехай Тпр = 373 К, тоді запас по температурі (К).
Визначимо максимальний струм бази транзистора для даної схеми:
В
Максимальна напруга база-емітер U бе-макс можна вибрати з діапазону:
В В
Нехай, тоді максимальне значення вхідної потужності каскаду:
В
1.3 Розрахунок термічних опорів і площі тепловідведення
Розрахуємо уточнену потужність розсіювання на транзисторі з урахуванням наявності ненульового напруги U ке-нас на відкритому транзисторі, а також струму витоку закритого транзистора:
В
де P доб - додаткова потужність, обумовлена ​​струмом витоку закритого транзистора.
Струм витоку дорівнює зворотному струму колектора Ік-обр, при вибраній робочій температурі. Це значення береться з довідкових даних у таблиці 3. визначається як:
В
В
Тепер розрахуємо необхідну термічний опір В«перехід-середовищеВ»:
В
Далі, щоб розрахувати необхідну термічний опір В«тепловідвід-середовищеВ» Rт-т-ср, врахуємо, що при розміщенні транзистора на тепловідвід Rт-п-ср визначається трьома складовими:
Rт-п-ср = Rт-п-к + R т-к-т + R т-т-ср,
де R т-п-к - термічний опір В«перехід-корпусВ», Rт-к-т - термічний опір В«корпус-тепловідвідВ», Rт-т-ср - термічний опір В«тепловідвід-середовищеВ». Якщо знати два перших доданків даного рівняння, то Rт-т-ср можна знайти як
Так, як термічний опір В«перехід-корпусВ» R т-п-к не дано в явному вигляді, то воно знаходиться за максимально допустимій температурі переходу Т п-доп і температурі, для якої дано значення P рас-т-доп,
В
За наявності прокладок:
В
Знаючи ці величини, розраховуємо необхідну термічний опір В«тепловідвід-середовищеВ»:
В
Далі знаходимо необхідне значення площі тепловідведення за емпіричною формулою:
,
де R т-т-ср підставляється в К/Вт.
1.4 Розрахунок параметрів джерела живлення
Розрахуємо основні параметри джерела живлення, і.
Знайдемо за формулою:
.
На неідеальному відкритому транзисторі мається падіння напруги Uке-нас, що має бути враховано при розрахунку:
В
Знайдемо за формулою:
В
2. Вибір конфігурації і розрахунок ланцюга попереднього посилення і схеми пригнічувача квадратурної перешкоди