ого зв'язку по напряженіюUkе max75 ВМаксімальное зворотне напряженіеUеb max8, 9 ВМаксімальное зворотне напряженіеUkb max167 ВМаксімальное зворотне напряженіеUkе нас0, 269 ВНапряженіе насищеніяIk010 мкАОбратний тепловий струм колекторного pn переходаIе010 мкАОбратний тепловий струм емітера pn переходаrk2, 2 ОмОміческое опір області коллектораrb65 ОмОміческое опір області базиft156 мГПредельная частотаtp0, 21 мкСВремя розсмоктування ННЗ в транзисторі
. ВИСНОВОК
У цій роботі ми проектували дискретний транзистор із заданими параметрами. Після того, як вони були розраховані, ми можемо зробити висновки, про можливі областях застосування дискретний схем, частиною яких він може бути. p align="justify"> Кремнієвий епітаксійних-планарний транзистор npn. Призначений для роботи в підсилювачах, високочастотних генераторах, перемикаючих пристроях радіоелектронної апаратури. p align="justify"> Пошук в довідковій літературі транзистора, який міг би бути зразковим аналогом спроектованого транзистора, показав, що серед транзисторів вітчизняного виробництва, немає близьких аналогів. Хоча найбільш близькі були транзистори з серії КТ603. br/>
ДОДАТОК
В
Рис. 1П. Варіанти топології npn транзистора з одним (а, б) і декількома (в - д) базовими контактами. br/>
Рис. 2П. Дифузійний профіль поперечного перерізу інтегрального транзистора для цифрових схем з мінімальними розмірами 3-5 мкм. <В
В
Рис. 3П. Дифузійний профіль поперечного перерізу інтегрального транзистора для підсилюючих схем з мінімальними розмірами 5-10 мкм
В
Рис. 4П. Зведена таблиця формул для розрахунку опору елементів різних форм і розмірів. Стрілками вказано напрямок струму. br/>В
Ріс.5П. Транзисторні структури ілюструють можливість використання формул, наведених на рис. 4П а) - транзистор з круговим емітером, б)-транзистор з гребінчастим емітером. br/>
В
Рис. 6П. Структура транзистора npn типу для розрахунку опору тіла колектора без n +-прихованого шару (а) і з n +-прихованим шаром (б). br/>В
Рис. 7П. Залежності пробивних напруг різких pn переходів від концентрації домішки і радіуса заокруглення. br/>В
Рис. 8П. Структура n +-pn-n + (а), профіль легування (б) в потужному транзисторі з епітаксіальної базою (N - концентрація домішки; х - відстань від поверхні емітера). p align="justify"> Рис. 9П. Структура n +-pn-n + (а), профіль легування (б) в потужному транзисторі з високим опором колекторної області (N-концентрація домішки; х-відстань від поверхні емітера). br/>В
Рис. 10П. Структура n +-pn-n + (а), профіль легування (б) в потужному транзисторі з буферною зоною n-типу в колекторі (N-концентрація домішки; х - відстань від поверхні емітера). p align="justify"> Рис. 11П. ...
