при комбінованому позитивному-II засобі.
. Виготовлення заготовки та виконан базових отворів.
. Підготовка поверхні та формирование захисна малюнка (резистом).
. Нанесення захісної лакової плівки.
. Отримання отворів, что підлягають металізації та їхнє очищення.
. Хімічне міднення.
. Вилучення лаку.
. Гальванічне міднення.
. Нанесення захисних покриття (сплав олово-свинець).
. Вилучення захисна малюнка (резистом).
. Травління.
. Оплавлений.
. Фінішна обробка.
До позитивного комбінованого - I та II ЗАСОБІВ: забезпечують добру адгезію елементів провідного малюнка до діелектріка та Збереження електроізоляційних властівостей діелектріка, захищений во время ОБРОБКИ в хімічніх Розчин мідною фольгою. Дозвільна спроможність засобими декілька нижчих, чем хімічного, что пояснюється великим боковим підтравлюванням та розрощуванням (збільшенням Перетин) елементів схеми, характер которого покладів від товщини захисних кулі фарби або фоторезиста, нанесеного перед металізацією.
Перевага позитивного комбінованого методу в порівнянні з негативно є гарна адгезія провідника, підвіщена Надійність монтажних та перехідніх отворів, Високі електроізоляційні Властивості.
Last пояснюється тім, что при трівалій обробці в хімічноагресівніх Розчин (розчини хімічного міднення, електроліти та ін) діелектрічну підставу захищено фольгою.
Проаналізувавші всі методи, избран метод комбінований позитивний, тому что в порівнянні з хімічнім ВІН володіє КРАЩА якістю виготовлення, й достатньо Гарньє характеристиками, что необходимо в вімірювальноій апаратурі и Є можливість реализации металізованіх отворів,
2.2 Технологія виготовлення блоку
Комбінований позитивний метод.
. Виготовлення фотошаблонів та підготовка информации.
а) Підготовка информации
. Розробка прінціпової схеми пристрою.
. Трасировку.
. Доробки файлів. Вихід файлів з свердління фрезерування.
Чи правильна оптимізація даних, малюнка та положення елементів плати наведенні на малюнку 14.
Малюнок 14 - Чи правильна оптимізація даних, малюнка та положення елементів плати
б) Виготовлення фотошаблонів
Рзрізняють Позитивні та негатівні фотошаблоном. Дуже Важлива контрлюваті сумісність фотошаблонів одна з одним та Проводити контрольний замір фотошаблонів.
сумісність фотошаблонів наведено на малюнку 15.
Малюнок 15 - сумісність фотошаблонів
2. Різка заготовок.
Листи склотекстоліта надрізаються на заготовки. Розмір заготовок вібірається кратним листу склотекстоліта (914,4x1220 мм). Різка заготовок может Виконувати на гільйотінніх ножиць або на роликових ножиць.
. Виготовлення базових отворів.
Тип та размір отворів покладів від вібраної системи базування. Базові відчини круглої форми віконуються сверлінням, а овальної - Вирубка.
. Ламінування.
Наступний етап - нанесення пластичного фоточутлівого матеріалу на заготівлю. Заготівля очіщується та пріготавляється до нанесення фоторезиста. Цей етап проходитиме в чістій ??кімнаті з жовтим освітленням. Резист світлочутлівій ї при Довгому невікорістанні руйнується.
Нанесення пластичного фоточутлівого матеріалу на заготівлю наведено на малюнку 17.
Малюнок 17 - Нанесення пластичного фоточутлівого матеріалу на заготівлю
. Експонування.
а) Розміщення фотошаблона.
Зображення на фотошаблоні негативно по відношеннюю до майбутньої схеми. Під темними ділянкамі фотошаблона мідь НЕ буде Відаль. При віорістанні систем базування точність сумісніцтва візначається точністю виготовлення базових отворів в заготівлях та фотошаблоні, типом системи базування. Найбільш точна система сумісніцтва є автоматична оптичні система сумісніцтва.
б) Експонування фоторезиста.
ДІЛЯНКИ поверхні незахіщені фотошаблоном засвітлюються. Фотошаблон знімається. После цього засвітлені ділянки могут буті відалені хімічно.
Відалення засвітленіх ділянок наведено на малюнку 18.
Малюнок 18 - Віда...
