ча амплітуди
1.Первоначальная за формулою (2.41) при раніше обраної величиною резистора визначають номінал резистора, що задовольняє вимогам узгодження по постійному струму рівнів напруг, що діють в статичному режимі на виході ДУ і вході ФА, а потім - номінал резистора (2.43), використовуючи коефіцієнт (2.42), вхідні опори транзисторів, відповідно (2.44) і (2.45), за допомогою яких знаходять еквівалентний опір навантаження, (2.46) вхідний опір (2.47) і коефіцієнт передачі (2.48) повторювача на транзисторі:
В В В В В В В В В В В
2.Отримання значення, обернено пропорційне вхідної провідності, підставляють у формулу (2.33) і тим самим завершують кількісне визначення коефіцієнта передачі диференціального сигналу ДК:
В В
3.Определяем вихідний опір повторювача на транзисторі (2.51), за допомогою якого і вихідний провідності (2.52) транзистора T15 знаходять вихідну провідність (2.53) еквівалентної ТЗ на транзисторі Т15 і резистори, а потім - крутизну (2.54) останньої і вихідну провідність (2.55) транзистора Т `14:
В В В В В В В В
4.На підставі отриманих у попередньому пункті даних з урахуванням вхідної провідності ЕП визначають коефіцієнт передачі другого каскаду, а також знаходять коефіцієнт передачі формувача амплітуди в цілому:
В В В В
5.Определяют вихідний опір формувача амплітуди (2.59), значення якого підставляють у формулу (2.16) і закінчують цим виконання п. 7 підрозділу 2.2, пов'язаного з визначенням вихідного опору (2.17) ЕП:
В В В
6.Сравнівают отриманий шляхом перемноження коефіцієнтів передачі ДУ для диференціального сигналу, формувача амплітуди і ЕП. Результуючий коефіцієнт передачі ОУ (2.62) порівнюють із заданим з урахуванням виробничого запасу:
В
Як видно з отриманих даних, більше, звідки випливає, що заданий коефіцієнт передачі ОУ успішно досягнутий з виробничим запасом приблизно в рази.
3. Розрахунок параметрів амплітудно-частотної і фазочастотной характеристик і елементів їх корекції
підсилювач диференційний мікроелектронний
1.Задаваясь номінальними значеннями колекторної ємності і ємності колектор-підкладка всіх що беруть участь у формуванні АЧХ транзисторів в межах від 1 до 3, а ємності база-емітер - в інтервалі від 10 до 30 пФ, розраховують вхідні динамічні ємності повторювача на транзисторі Т13 (2.63) і формувача амплітуди (2.64) і знаходять ємність (2.65) і активну провідність (2.66), на підставі яких визначають частоту зрізу (2.67):
;
;
В
В В В В В В В
2.Іспользуя розрахункову величину вихідного опору першого каскаду і визначаючи вхідний опір другого каскаду (2.68) формувача амплітуди, розраховують ємність (2.69) і активну провідність (2.70) еквівалентної схеми формувача амплітуди і знаходять його частоту зрізу (2.71):
В В В В ...
