/span> ? 0).
Формування робочого ходу відбувається в інтервалі часу tраб, коли транзистор замкнений завдяки впливу негативного вхідного імпульсу (насправді, початок робочого ходу виявляється затриманим щодо моменту t `на значення t 3 01 , обумовлене процесом розсмоктування заряду з бази насиченого транзистора, але зазвичай t 3 01 < раб і на тимчасовій діаграмі цей інтервал не показаний). В кінці робочого ходу (момент t ``) напруга на виході (і на колекторі транзистора) приблизно дорівнює U m , причому U m к. доп . Однак при випадковому збільшенні тривалості керуючого імпульсу або обриві в ланцюзі конденсатора C можливий пробій транзистора (зазвичай E до >> U m ); для запобігання пробою включається фіксуючий діод Д ф ; при напрузі u? Е ф (U m ф к. доп ) відмикається діод і фіксується коллекторное напруга на рівні E ф (при u <Еф діод закритий). Коефіцієнт нелінійності згідно (7) ? = U m /E екв , де через наявність опору R н , що враховує опір навантаження і вихідний опір закритого транзистора, Е екв = Е до R н < span align = "justify">/(R до + R н ) (впливом струму I к.0 нехтуємо, так як Е до >> RI к.0 ).
? = (8)
В
Рис. 3 Тимчасові діаграми напруги
З (8) видно, що опір навантаження робить істотний вплив на ...
