Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые обзорные » Розрахунок температурних залежностей електрофізичних параметрів напівпровідників

Реферат Розрахунок температурних залежностей електрофізичних параметрів напівпровідників





зком, застосовувані, наприклад, для

створення мініатюрних відеокамер;

високотемпературні напівпровідникові нагрівальні

елементи [2].

Однією з електрофізичних характеристик напівпровідників є концентрація. Вона змінюється в залежності від температури. За температурної залежності концентрації вільних носіїв заряду в координатах ln (n) = f (1/T) можна визначити енергія іонізації донорного або акцепторного рівня і ширину забороненої зони. p align="justify"> Іншою характеристикою напівпровідників є електропровідність. p align="justify"> Електропровідність своїх напівпровідників є прямою лінією побудованої в координатах ln (у) = f (1/T). Кут нахилу цієї прямої визначає ширину забороненої зони власного напівпровідника. p align="justify"> Рівень Фермі також є електрофізичної характеристикою полупроводников. Енергія рівня Фермі також змінюється від температури. p align="justify"> 1. Напівпровідники


.1 Класифікація речовин по електропровідності


Всі тверді тіла по електрофізичних властивостях поділяються на три основні класи: метали, діелектрики і напівпровідники. Якщо основу класифікації покласти величину питомої електропровідності s , то при кімнатній температурі вона має значення у таких межах:

метали - (10 7 - 10 6 ) Сим/м

напівпровідники - (10 -8 - 10 6 ) Сим/м

діелектрики - (10 -8 - 10 -16 ) Сим/м.

Така чисто кількісна класифікація абсолютно не передає специфічних особливостей електропровідності та інших властивостей, що сильно залежать для напівпровідника від зовнішніх умов (температури, освітленості, тиску, опромінення) і внутрішньої досконалості кристалічної будови (дефекти решітки, домішки та ін .) [3].

Розглянемо, наприклад, температурну залежність провідності металів і напівпровідників. p align="justify"> Для хімічно чистих металів із зростанням температури опір збільшується за лінійним законом в широкому температурному інтервалі


R (t) = R 0 (1 + a t), (1.1.1)


де R 0 - опір при t = 0 В° C, R (t) - опір...


Назад | сторінка 5 з 18 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Розрахунок температурних залежностей електрофізичних параметрів напівпровід ...
  • Реферат на тему: Розробка СВЧ блоку пристрою для безконтактного виміру електрофізичних парам ...
  • Реферат на тему: Залежність ширини забороненої зони в кремнії від температури
  • Реферат на тему: Дослідження статистичної залежності тиску в ідеальному газі Фермі-Дірака ві ...
  • Реферат на тему: Область застосування напівпровідників