ні кристали містять недосконалості (дефекти) кристалічної будови.
Дислокація - лінійний дефект визначає високу пластичність матеріалу.
Наявність в металах рухливих дислокацій (вже в процесі кристалізації виникає до 106 ... 108 дислокацій в перетині, рівному 1см2) призводить до їх зниженою опірності нагружению, тобто високої пластичності і невисокою міцності.
Очевидно, що найбільш ефективним способом підвищення міцності буде видалення дислокацій з металу. 10 мкм. »Однак такий шлях не технологічний, тому що бездислокаційних метали вдається отримувати лише у вигляді тонких ниток (так званих «вусів») діаметром в декілька мікрон і довжиною до 10 мкм.
Тому практичні способи зміцнення засновані на гальмуванні, блокуванні рухомих дислокацій шляхом різкого збільшення числа дефектів решітки (в першу чергу лінійних і поверхневих!), а також створенні багатофазних матеріалів.
Таким чином пластичність матеріалів безпосередньо залежить від дефектів кристалічної решітки.
Список використаної літератури
1. Анікіна Валентина Іллівна, доцент, кандидат технічних наук ОСНОВИ кристалографії І ДЕФЕКТИ кристалічної будови
. Вонсовський С.В. Магнетизм. М .: Наука, 1984. - 208 с.
. Власов С.Н. та ін. Пристрій, налагодження та обслуговування металорізальних верстатів і автоматичних ліній. М., 2008
. Орлов А. Н., Введення в теорію дефектів в кристалах, М., 1983;
. Рибін В. В., Великі пластичні деформації і руйнування металів, М., 1986.
. Xонікомб Р., Пластична деформація металів, пер. з англ., М., 1972;
. Xірт Дж., Лоті І., Теорія дислокацій, [пер. с англ.], М., 1972;
. Кочергін А.І. та ін. Металообробні верстати, лінії та інструменти. Мінськ, 2007
. Металеві скла/Под ред. Дж. Дж. Гилмана і Х. Дж Лімі.- М .: Металургія, 1984. - 263 с.
. Пасинків В.В., Сорокін В.С. Матеріали електронної техніки. М .: Висш.шк., 1986.- 367 с.
. Пихтіна А.Н. Фізичні основи квантової електроніки і оптотронікі.- М .: Вища школа, 1983. - 367 с.
. Полухін П.І., Горелик С.С., Воронцов В.К. Фізичні основи пластичної деформації. М .: Металургія. 1982. - 584 с.
