p align="justify"> .4. Відмивання підкладок. p align="justify"> .5. Підготовка верстата до фінішної поліровці. p align="justify"> .6. Фінішна полірування підкладок. p align="justify"> .7. Розклеювання і відмивання підкладок. p align="justify"> .8. Контроль підкладок. br/>
.4 Контрольно-вимірювальні операції та засоби метрологічного оснащення і контролю при виробництві п'єзоелектричних підкладок з лангасіта
монокристал лангатат п'єзоелектричний підкладка
Перелік технологічних і контрольно-вимірювальних операцій, вимог до вимірюється параметрами, а так же перелік засобів контролю та вимірювань, обсяг вибірки при виробництві п'єзоелектричних підкладок із заданими технічними характеристиками представлений у таблиці 3.
Таблиця 3 - Параметри що вимірюються і засоби контролю та вимірювань при виробництві п'єзоелектричних підкладок з лангасіта
ОпераціяТребованія до контрольованих та виміряним параметрамСредства контролю та ізмереніяУчасток, обсяг вибірки 1. Розпилювання монокристалів лантан-галлиевого сіліката1.1 Контроль площин у монокристалі лантан-галлиевого сілікатаПоверхності монокристала лантан-галлиевого силікату повинні бути зорієнтовані із заданою точностьюРентген гоніометр типу "Rigaky" мод.256Участок обробки кристалів, 100% 1.2 Контроль напрямку + Х в монокристалі лантан- галлиевого сілікатаНаправленіе + Х в монокристалі лантан-галлиевого силікату має бути зорієнтована відповідно до ТДПьезотестерУчасток обробки кристалів, 100% 2. Розпилювання секціі2.1 Контроль орієнтації секції на станкеПоверхності пластів з секції повинні бути зорієнтовані із заданою точностьюРентген гоніометр типу "Rigaky" мод.256Участок обробки кристалів, 100% 2.2 Вимірювання товщини пластовТолщіна пластів в партії повинна бути (0,7-0,8) мм В± 0,05 ммМікрометр МКЦ 25Участок обробки кристалів, 100% 3. Обробка пластов3.1 Вимірювання діаметру подложекДіаметр підкладки повинен бути 100мм В± 0,2 ммШтангенціркуль ШЦ-IУчасток обробки кристалів, 100% 3.2 Вимірювання базової та допоміжного срезаДліна базового зрізу підкладки 32,5 мм В± 2мм Довжина допоміжного зрізу підкладки 11мм В± 2ммЛінейка Vogel тип ВУчасток обробки кристалів, 100% 4. Контроль ВТК 4.1 Вимірювання товщини подложкіТолщіна підкладок в партії повинна бути (0,7-0,8) мм В± 0,05 ммІндікатор МІГ-1ОТК, 10% від партіі4.2 Контроль стану поверхні подложкіНе допускається наявність забруднень від клеять і абразивних матеріалів на поверхні підкладки Не допускається наявність тріщин, сколів, виколок на поверхні підкладки. Візуально, Лупа ЛП-3-10Участок обробки кристалів, 100% ВТК, 10% від партіі4.3. Вимірювання діаметру подложкіДіаметр підкладки повинен бути 100мм В± 0,2 ммШтангенціркуль ШЦ-IОТК, 10% від партіі4.4 Вимірювання довжини базового зрізу подложкіДліна базового зрізу підкладки повинна бути 32,5 мм В± 2,5 ммЛінейка Vogel тип Вотка, 10% від партіі4.5 Вимірювання довжини допоміжного срезаДліна допоміжного зрізу підкладки повинна бути 11 мм В± 2 ммЛінейка Vogel тип Вотка, 10% від партіі4.6 Контроль орієнтації поверхні підкладки і базового зрізу подложкіПоверхность підкладки і базовий зріз повинні бути зорієнтовані із заданою точностьюДіфрактометр рентгенівський DSO-2PОТК, 10% від партіі5. Шліфування подложкі5.1 Контроль товщини подложкіТолщіна підкладки в партії після закінчення шліфування повинна бути (0,500-0,600) мм В± 0,005 мм Індикатор МІГ-1 Ділянка обробки кристалів, 100% 5.2 Контроль стану поверхні подложкіПрі 10 х збільшення мікроскопа поверхню підкладки повинна мати рівний фон обробки. Не допускається наявність тріщин, подряпин. На робочій поверхні підкладки не допускається наявність сколів на базовому резе і виколок на поверхності.Візуально, Стереомікроскоп "Leicа" або "Mantis" ВТК, 100% 5.3 Вимірювання товщини подложкіТолщіна підкладок в партії повинна бути (0,500-0,600) мм В± 0,005 мм Індикатор МІГ-1ОТК, 10% від партіі6. Полірування подложек6.1 Контроль товщини після попередньої полірування поверхні подложкіТолщіна підкладок в партії після закінчення попереднього полірування повинна бути (0,480-0,580) мм В± 0,005 мм Індикатор МІГ-1, оптиметрії вертикальний проекційний ІКВ-3Участок обробки кристалів, 100% 6.2 Контроль товщини після фінішної полірування поверхні подложкіТолщіна підкладок в партії після закінчення попереднього полірування повинна бути (0,450-0,550) мм В± 0,005 ммІндікатор МІГ-1, оптиметрії вертикальний проекційний ІКВ-3Участок обробки кристалів, 100% 7. Контроль подложек7.1 Контроль робочої поверх ності подложкіПрі 50 х збільшення мікроскопа на робочій поверхні підкладки не допускається наявність подряпин, сколів, тріщин, включень, ямок і заглиблень. Н...
