Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Отчеты по практике » Технічний контроль якості кристалічних елементів з лангатата для пристроїв П'єзотехніка

Реферат Технічний контроль якості кристалічних елементів з лангатата для пристроїв П'єзотехніка





е допускаються відколи на базовому резе підкладки. По краю пластини допускаються відколи шириною не більше 5мм, з виходом на робочу область не більше 0,5 ммВізуально, Стереомікроскоп "Leicа" ВТК, 100% 7.2.Контроль чистоти поверхні подложкіПрі 50 х збільшення мікроскопа не допускається наявність грязьових плям, розлучень подтеков.Візуально, Стереомікроскоп "Leicа" ВТК, 100% 7.3. Контроль швидкості ПАР на подложкеСкорость ПАР повинна бути: 2577,8 В± 2,5 м/с на підкладці типорозміру 1В; 2327,7 В± 2,5 м/с на підкладці типорозміру 2ВСтенд ІС-1/01ОТК, 10% від партіі7.4 . Контроль неоднорідності швидкості ПАР на подложкеНеоднородность швидкості ПАР повинна бути не більше 150 Г— 10 -6 Стенд ІС-1/01ОТК, 10% від партіі7.5. Контроль маси подложкіМасса підкладки повинна бути не більше 17 гВеси електронні ВТЛК-500ОТК, 10% від партії

Перелік і методи контрольно-вимірювальних операцій, вимог до вимірюється параметрами, представлений нижче.

. Контроль площин у монокристалі лантан-галлиевого силікату

Монокристалл лантан-галлиевого силікату ТУ 6365-003-54993724-05 наклеюють на оправлення на попередньо обшліфувати грань і фіксують у верстаті TS-23 кріпильними гвинтами. Від монокристала відрізають пробну пластину завтовшки 1-1,5 мм і виконують контроль площині за допомогою рентген гониометра типу "Rigaky" мод.256 згідно інструкції з експлуатації. Після отримання результатів рентген-контролю положення кристала у верстаті коригують за допомогою регулювальних гвинтів. Після корегування положення кристала виконують рентген-контроль нової пробної пластини. Коригування положення виконують до отримання необхідних значень кутів площині монокристала. p align="justify">. Контроль напрямку + Х в монокристалі лантан-галлиевого силікату

Монокристалл лантан-галлиевого силікату ТУ 6365-003-54993724-05 орієнтують так, щоб він лежав на менш розвиненою грані нижнім конусом кристала до оператора. Контроль напрямку + Х в кристалі здійснюють пьезотестером. Щуп пьезотестера опускають по 3-5 разів на праву і ліву грані кристала. Індикація на пьезотестере червоної лампочки під знаком "+" означає, що грань кристала має вихід напрямки + Х. Індикація на пьезотестере зеленої лампочки під знаком "-" означає, що грань кристала має вихід напрямку осі-Х. Грань кристала, що має вихід напрямки + Х, маркують. p align="justify">. Контроль зовнішнього вигляду п'єзоелектричної підкладки і її поверхні

.1. Контроль зовнішнього вигляду шліфованої поверхні підкладки здійснюють візуально за допомогою стереомікроскопу "Leicа" або "Mantis" при 10-кратному збільшенні. Поверхню підкладки повинна мати рівний фон обробки. Не допускається наявність тріщин, подряпин. На робочій поверхні підкладки не допускається наявність сколів на базовому зрізі і виколок на поверхні. p align="justify"> .2. Контроль зовнішнього вигляду підкладки і її робочої полірованої поверхні здійснюють візуально за допомогою стереомікроскопу "Leicа" при 50-кратному збільшенні. На робочій області підкладки не допускаються подряпини, тріщини, непрополірованние області, видимі при 50-кратному збільшенні. Відколи всередині робочої області і на базовому зрізі не допускаються. За межами робочої області підкладки допускаються відколи шириною не більше 5мм з виходом на робочу область не більше 0,5 мм. Геометричні розміри сколів оцінюють за допомогою окулярного гвинтового мікрометра МОВ-1-16. p align="justify"> .3 Контроль чистоти поверхні здійснюють за допомогою стереомікроскопу "Leica" при 50 х збільшенні. Не допускається наявність грязьових плям, розлучень патьоків на поверхні підкладки.

. Контроль габаритних розмірів п'єзоелектричної підкладки

.1. Контроль діаметра підкладки здійснюють за допомогою штангенциркуля ШЦ-1 з відліком по ноніусом 0,1 мм. Підкладку кладуть на поверхню робочого столу лицьовою стороною вгору і затискають між верхніми губками штангенциркуля ЩЦ-I. p align="justify"> .2. Контроль товщини підкладок здійснюють за допомогою вимірювальної головки МІГ-1 з ціною поділки 1 мкм, закріпленої на вимірювальній стійці. Вимірювання товщини підкладки виробляють одноразово в центрі підкладки, що лежить на вимірювальній стійці. Контроль товщини за допомогою вимірювальної головки МІГ-1 проводять на операціях різання та шліфування підкладок. p align="justify"> .2.2. Контроль товщини підкладок на операції полірування виконують за допомогою вертикального оптіметра ІКВ-3. Перед початком поліровки вимірюють товщину склеєних в пари підкладок. На поверхню пари підкладок, що лежать на вимірювальному столику оптіметра, опускають вимірювальний нако...


Назад | сторінка 7 з 10 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Контроль розмірів деталей за допомогою граничних калібрів
  • Реферат на тему: Система органів, які здійснюють державний контроль і нагляд
  • Реферат на тему: Органи, що здійснюють контроль і нагляд за дотриманням законодавства про пр ...
  • Реферат на тему: Загальні Відомості про контроль якості полімерніх матеріалів. Вхідній конт ...
  • Реферат на тему: Контроль знань студентов. Тестовий контроль