Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые проекты » Система автоматичного спостереження за зміною температури

Реферат Система автоматичного спостереження за зміною температури





рум для оптопари (тобто вхідний струм потужного каскаду) становить 200 мА (оптопара АОТ110А). Тому якщо I бVTмощ.каскада? 200 мА, то необхідно застосування кілька предмощних транзисторів. Кожен транзистор дозволяє зменшити вхідний струм (I б) в В раз (I до? У? I б, де В - умовний коефіцієнт посилення по струму). У нашому випадку I бVT=19 мА? 200 мА, тому досить одного предмощного транзистора.

Предмощние каскади призначені для формування імпульсів відкриває і закриває полярності по відношенню до потужним ключам. Для формування двополярної імпульсів необхідні 2 джерела живлення.

Існує безліч рішень у створенні предмощних каскадів, але найбільше посилення по струму забезпечують схеми еммітерной повторювачів. Вони ж дають і максимальну швидкодію. Для подальшого збільшення коефіцієнта посилення по струму застосовують складені транзистори.

На підставі методичного посібника та вихідних даних, компонуємо принципову схему предмощного каскаду (рисунок 3.2). У даному курсовому проекті використовується схема складових транзисторів на комплементарних парах. У зв'язку з тим, що біполярні ключі, яким необхідно відкриває U і I, а також закриває U і I, предмощний каскад повинен формувати + і - полярності. Для двополярності імпульсів необхідні два джерела живлення.


Малюнок 3.2.- Схема електрична принципова предмощного каскаду


Предмощний каскад повинен бути як можна більш високочастотним, оскільки чим крутіше фронти, тим менше втрати у вихідних силових ключах.

Зазвичай предмощние каскади використовують схеми типу повторювачів і складені транзистори.

Розрахунок предмощного каскаду почнемо з вибору комплементарної пари VT2 і VT4. Вихідними даними є струм і напруга живлення. Через невеликої величини і широкого розповсюдження джерел 5 В приймаємо напруга живлення Е1=Е2=5В. Ці транзистори вибираємо на подвійне напруга, оскільки в імпульсному режимі один з них відкритий, а інший закритий. Отже, до одного з них прикладається подвійне напруга. Струмом I к2 транзистора VT2 є струм бази I б1 силового ключа VT5.

За довідником вибираємо транзистори комплементарних пар КТ6116А і КТ6117А, з наступними параметрами:

- максимально допустимий постійний струм колектора=0.6А;

напруга насичення колектор-еммітер=0,6 В;

коефіцієнт передачі=25;

струм бази max=0,1А;

час закриття 0,3 мкС;

максимальна розсіює потужність Рк=0.62Вт.

Розрахуємо опір R1:


(5.2.1)


де UБЕVT5 - постійна напруга база-емітер транзистора VT5.

R1=10 Ом - стандартний номінал по ряду Е12.

Розрахуємо потужність розсіювання за формулою:


(5.2.2)


Розрахуємо потужність, що розсіюється транзистором VT2 за формулою (4.1.22):

Так як величина розраховується потужності задовольняє умові Ртр lt; Рдоп, то розрахунок зроблений коректно.

Зробимо вибір транзисторів VT1, VT3. Ці транзистори вибираються на подвійне напруга UКЕдоп? 2 · Е1:


, (5.2.3)


де В - умовний коефіцієнт посилення по струму і приймаємо В=10, тоді

За отриманими параметрами вибираємо транзистори КТ361А і КТ371А з наступними параметрами:

максимально допустимий постійний струм колектора: IК max=0.01А;

- напруга насичення колектор-емітер U КЕ нас=0.6 В;

- коефіцієнт передачі h 21Е=100.

Розрахунок потужності розсіювання цих транзисторів не виготовляємо, тому вони працюють в полегшених режимах.

Діод VD має подвійне призначення:

захищає перехід емітер-база транзистора VT5 від напруги Е;

утворює невелику утримуючу величину, при якій VT5 закритий.

Виходячи з проведених розрахунків, вибираємо діод КД243A.

U доп=30В

I доп.і. =5А

F доп=800кГц


3.3 Розрахунок гальванічної розв'язки


В якості гальванічної розв'язки застосуємо оптичну зв'язок. Оптичний зв'язок захищає попередні інформаційні каскади від високої напруги вихідних каскадів.

З погляду мінімізації числа елементів схеми, доцільно в якості гальванічної розв'язки використовувати діод-транзисторну схему оптопари типу АОТ. Вибираємо одну з типових схем гальванічної розв'язки, яка показана на малюнку 3.3.1.

Малюнок 3.3 - Схема гальванічної розв'язки


Транзистори оптопари (VT 1опт, VT 2опт) повинні працювати в ключовому режимі, допустимий вихідний струм елемента двійкової логіки повинен бути більше вхідно...


Назад | сторінка 6 з 13 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Методи збільшення коефіцієнта посилення по струму біполярного транзистора
  • Реферат на тему: Модуляційно-леговані транзистори MODFET, біполярні транзистори на гетеропер ...
  • Реферат на тему: Розрахунок параметрів и вибір ЕЛЕМЕНТІВ тиристорну електропріводів постійно ...
  • Реферат на тему: Компенсуютьпристрої і напруга живильної лінії ГПП вагоноремонтного заводу
  • Реферат на тему: Розрахунок вторинного джерела живлення і підсилювального каскаду