Максимальне відхилення розмірів обкладок, М зі = 5% - середнє значення виробничої відносної похибки питомої ємності, d зі = 1% - половина поля розсіювання виробничої відносної похибки питомої ємності.
Обчислимо середнє значення відносної похибки питомої ємності, викликаної зміною температури, М cotb при верхній і М cotn при нижній граничної температурі:
(86)
(87)
Середнє значення відносної похибки ємності, викликаної зміною температури (2.17; 2.18 [5]):
(88)
%%
Половини полів розсіювання відносної похибки граничної ємності, викликаної зміною температури:
В
(89)
Половини полів розсіювання відносної похибки ємності, викликаної зміною температури (2.20; 2.21 [5]):
(90)
%
Середнє значення відносної похибки питомої ємності, викликаної старінням діелектричної плівки:
(91)
Середнє значення відносної похибки ємності, викликаної старінням діелектричної плівки (2.23; 2.24 [5]):
(92)
%
Половина поля розсіювання відносної похибки питомої ємності, викликаної старінням діелектричної плівки:
(93)
Половина полів розсіювання відносної похибки ємності, викликаної старінням діелектричної плівки (2.26; 2.27 [5]):
(94)
%
Знайдемо суму середніх значень відносних похибок:
(95)
(96)
Введемо коефіцієнт запасу на догляд ємності під дією чи облікових факторів:
В
Визначимо допустиме значення половини поля розсіювання, виробничої відносної похибки активної площі:
(97)
% (98)
- мінімальне значення двох попередніх.
Допустимий коефіцієнт форми активної площі конденсатора:
(99)
Коефіцієнт форми беремо з умови 2.39 [5]:
(100)
К = 1.
Визначимо максимальну питому ємність, обумовлену заданим допуском на ємність за технічними параметрами:
пФ/мм 2 (101)
Коефіцієнт запасу електричної міцності конденсатора приймаємо рівний 3:
В
Визначимо максимальну питому ємність, обумовлену електричною міцністю міжшарового діелектрика і робочою напругою:
пФ/мм 2 (102)
мм. - мінімальна товщина діелектрика, тоді максимальна питома ємність з допустимого рівня виробничого браку:
пФ/мм 2 (103)
Визначимо мінімальну питому ємність, прийнявши значення максимальної товщини діелектрика:
мм.
Тоді:
пФ/мм 2 (104)
Виберемо питому ємність з умови:
(105)
В
пФ/мм 2
Визначимо відповідну З 0 товщину діелектрика:
мкм. (106)
Визначимо розрахункову активну площа конденсатора:
мм 2 (107)
Визначимо розрахункове значення довжини і ширини верхньої обкладки конденсатора при вибираємо коефіцієнті форми:
мм.мм. (108)
З урахуванням масштабу фото оригіналу:
мм (109)
h = 0,2 мм. - Мінімальна відстань краєм нижньої і верхньої обкладок, обумовлене вибраної технологією.
Визначимо розрахункове значення довжини і ширини нижньої обкладки конденсатора:
мм. (110)
З урахуванням масштабу фото оригіналу:
мм. (111)
мм. - мінімальна відстань між краєм нижньої обкладки і діелектричним шаром, обумовлене вибраної технологією.
Визначимо розрахункове значення довжини і ширини діелектричного шару конденсатора:
мм. (112)
З урахуванням масштабу фото оригіналу:
мм. (113)
Визначимо площу, займану конденсатором:
мм 2 (114)
Визначимо точність ємності сконструйованого конденсатора. Для цього визначимо середнє значення відносної похибки активної площі:
(115)
Визначимо середнє значення виробничої похибки:
(116)
Визначимо поле розсіювання відносної похибки активної площі:
(117)
Визначимо поле розсіювання виробничої похибки:
(118)
Визначимо позитивне і негативне значення граничного відхилення ємності:
(119)
(120)
Граничне відхилення ємності буде дорівнює максимальному з цих значе ний:
В
Перевіримо умову: Гћ
Як видно ця умова виконується, з цього випливає, що обраний матеріал нам підходить за своїми характеристиками.
Занесемо отримані результати в таблицю № 3:
Таблиця № 3
L 1 , мм ...
