Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Отчеты по практике » Технологічні процеси мікроскладення плат

Реферат Технологічні процеси мікроскладення плат





илікагелем не більше трьох сутіок або не більше сорока діб з моменту напилення в шафі із захисною середовищем.

5 Товщина адгезійного підшару повинна бути від 0,03 до 0,08 мкм. p> 6 Товщина напиляного шару міді на лицьовій стороні підкладки повинна бути від 0,00 до 0,00 мкм.

7 При проведенні технологічних операцій, підкладки слід брати пінцетом на відстані не більше двох іпллметров від краю.

Таблиця 3 - Дані по технологічних процесах напилення резистивних шарів

Напилюваний матеріал

Метод напилення

Режими напилення

Температура прогрівання підкладок до напилення, (Вє С)

Попередній вакуум до нагріву, (мм.рт.ст.).

Тиск в камері при напиленні, (мм.рт.ст.).

Час напилення на заслінку, (хв).

Швидкість обертання барабана (каруселі), (об/хв).

Температура стабілізації резистивного шару, (Вє С)

Час стабілізації резистивного шару, (хв)

Температура підкладки при розгерметизації камери, (Вє С)

РС-3710

Іонно-плазмовий

190-210

2.10 -5

(4,5-7,5) В· 10-4

10-15

50-100

190-200

15

75-85

РС-3710

Термічний

300-320

5.10 -5

до 5.10 -5

0,25

50-100

300-320

15

300-320

Хром

Термічний

290-310

5.10 -5

до 5.10 -5

0,25

50-100

290-310

15

75-85

Ніхром

Термічний

290-310

5.10 -5

до 5.10 -5

0,25

50-100

290-310

15

75-85

МНКБ

Іонно-плазмовий

190-210

2.10 -5

(4,5-7,5) В· 10-4

15

50-100

190-210

15

75-85


Основні дані по технологічних процесах напилення резистивних шарів наведені в таблиці 3.

Основні дані по технологічних процесах напилення провідних шарів наведені в таблиці 4.


Напилюваний матеріал

Метод напилення

Режими напилення

Температура прогрівання підкладок до напилення, (Вє С)

Попередній вакуум до нагріву, (мм.рт.ст.).

Тиск в камері при напиленні, (мм.рт.ст.).

Час напилення на заслінку, (хв).

Швидкість обертання барабана (каруселі), (об/хв).

Температура стабілізації резистивного шару, (Вє С)

Час стабілізації резистивного шару, (хв)

Температура підкладки при розгерметизації камери, (Вє С)

Хром

Термічний

290-310

1.10 -5

до 5.10 -5

0,25

50-100

290-310

15

75-85

Мідь

Термічний

290-310

5.10 -5

до 5.10 -5

0,25


Назад | сторінка 6 з 9 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Магнетронного напилення
  • Реферат на тему: Вакуумне напилення
  • Реферат на тему: Оптимізація процесу напилення матеріалу в магнетронній системі розпилення
  • Реферат на тему: Автоматизований електропривод механізму маніпулятора установки напилення мі ...
  • Реферат на тему: Антикорозійний захист медичних виробів з використанням технологій плазмовог ...