Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Отчеты по практике » Технологічні процеси мікроскладення плат

Реферат Технологічні процеси мікроскладення плат





gn=top>

50-100

290-310

15

75-85

Нікель

Термічний

190-210

2.10 -5

до 5.10 -5

15

50-100

190-210

15

75-85


Примітка - 1 - Режими операцій напилення уточнюються технологом ділянки при пробному напилюванні

2 - Розплавлювання і знегажування міді проводяться до напилення хрому

3 - Розрив у вре6мені між закінченням напилення хрому і початком напилення міді не більше півтора хвилин


4.4 Технічні дані


1 Кількість матеріалу, що розпорошуються за один технологічний цикл:

іонним розпиленням -2

Електроннопроменеві напиленням -3

2 Кількість одночасно напилюваних підкладок за один технологічний цикл:

керамічних (36x24x1, 2) з висновками - 90 шт.

сіталових (60x48x0, 5) -50 шт.

3 Граничний вакуум в робочій камері 5.10 -6мм.рт.ст.

4 Час отримання вакууму 5.10 -6мм.рт.ст. - 90 хв (при розігрітому паромасляних насосі).

5 Робочий вакуум:

при Електроннопроменеві напилюванні 8.10 -6мм.рт.ст.

при іонному розпиленні (з струмом мішені

не більше 250 А) 5.10 -4мм.рт.ст.

6 Напуск газу і стабілізацію тиску в робочій камері в діапазоні 6.10 -4мм.рт.ст. до 3.10 -4мм.рт.ст.

7 Робочий газ при іонному розпиленні - аргон.

8 Кількість мішеней - 2.

9 Постійна напруга на мішені в режимі іонного розпилення ~ 0 ... 3 кВ.

10 Струм мішені при розпиленні постійним струмом

0 ... 400 А

11 Нагрівання барабана з підкладкою до температури 3500С і стабілізація його температури в діапазоні 100 ... 3500С

12 Швидкість барабана:

мінімальна - 2 об/хв;

максимальна -20 об/хв.

13 Режими роботи установки:

ручний;

автоматичний з управлінням за часом; автоматичний за часом з контролем параметрів напилюваних шарів;

управління установкою від засобів АСУТП.

14 Живлення установки УВН-75П-1 здійснюється від мережі змінного струму напругою 380В, частота 50 Гц.

15 Електрична потужність, споживана установкою при сталому режимі не більше 33 кВт.

16 Для експлуатації установки необхідні наступні види живлення:

вода холодна - температура 15 + 10 В° С, тиском 2 ... 4 кгс/см2; витрата 650 л/год;

вода гаряча - температура 80 ... 90 В° С, тиском 2 ... 4 кгс/см2; витрата 250 л/год.


4.5 Принцип роботи установки УВН-75П-1


1 Робота установки УВН-75П-1основана на розпиленні проводить матеріалу мішені постійним іонним струмом і термічне випаровуванні матеріалу з електронних випарників з кільцева катодами. Нанесення матеріалів методом іонного розпилення відбувається на зовнішню сторону барабана з підкладками, в нанесення матеріалів методом термічного-на внутрішню. Підкладки знаходяться з обох сторін барабана і повертаються після нанесення плівки на 1800, потім наноситься плівка на інший бік барабана.

2 На установці забезпечуються в ручному та автоматичному (З управлінням за часом або за часом з контролем параметрів напилюваних шарів) режимах або при управлінні від засобів АСУТП такі технологічні операції:

відкачка камери робочої до тиску 6.10-6мм.рт.ст в ручному або автоматичному режимах;

напуск інертного газу в камеру робочу до тиску (6 ... 3) В· 10-4мм.рт.ст і ВЧ очищення підкладок (з напругою ВЧ 300 ... 500В);

очищення розпилюється мішені і нанесення плівок методом іонного розпилення матеріалу.

Харчування розпилюються пристроїв (напруження, анода, мішені) здійснюється від шафи живлення і управління;

відкачка робочої камери до тиску 6.10-6мм.рт.ст і нагрів барабана з підкладкою до температури 3500С;

розігрів першого випарника і нанесення плівок на підкладку методом термічного випаровування за часом;

розігрів другого і третього випарників і нанесення тонких плівок за часом або по приладу КСТ-1;

природне охолодження в вакуумі до 800С, напуск інертного газу і вивантаження касет вручну.


4.6 Схема установки УВН-75П-1


В 

Рисунок 1 - Загальний вигляд установки УВН-75П-1: 1 - прилад іонізаційного контролю швидкості росту товщини плівок КСТ-1, 2 - прилад КС-2, 3 - Генератор, 4 - установка вакуумної відкачки УВН-70А-2, 5 - напрямна, 6 - камера робоча


Установка УВН-75П-1 (Малюнок 1) складається з базової моделі типу УВН-70А-2 поз.4, на якій змонтована камера робоча поз. 6, шафи управління поз.7, двох шаф харчування в управління поз.8, приладу іонізаційного контролю швидкості та товщини п...


Назад | сторінка 7 з 9 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Дослідження впливу параметрів установки нанесення на процес формування шару ...
  • Реферат на тему: Фізичні основи нанесення покриттів методом розпилення
  • Реферат на тему: Оптимізація процесу напилення матеріалу в магнетронній системі розпилення
  • Реферат на тему: Обслуговування установки нанесення зміцнюючих покриттів УВНІПА-1-001
  • Реферат на тему: Термічний і міцнісний аналіз берилієвої мішені в електроядерних установці