honon - частота поглинається (+) і випускається (-) фонона, E g opt і Eg term - оптична і термічна ширина забороненої зони. З виразів (6) і (7) випливає, що величина E g opt = E g term для випадку прямих вертикальних оптичних переходів, в випадку непрямих оптичних переходів величина E g opt може бути як менше (випадок поглинання фонона), так і більше (випадок випускання фонона) мінімальної відстані між валентною зоною і зоною провідності (E g term = E g ), причому виміряні значення E g opt можуть істотно залежати від кристалографічного напрямку в зразку. Зазвичай E g opt = E g term в ковалентних кристалах, E g opt > E g term в іонних кристалах, E g opt < span align = "justify"> g term у разі екситонного поглинання світла (освіти пов'язаних електрона і дірки). ЕКСІТОН ширина забороненої зони розраховується зі співвідношення:
В
де ? E X - енергія зв'язку екситону (eV ), в окремих випадках виміряні значення E g opt і E g term можуть відрізнятися в кілька разів. Зазначені співвідношення (6) і (7) вірні для випадку знаходження рівня Фермі в забороненій зоні кристала. У сильно легованих напівпровідниках р-типу (напівметалах) збудження електронів в зону провідності відбувається з рівня Фермі, розташованого в валентної зоні з'єднання, при цьому величина E g opt додатково збільшиться до...
