стив, що швидкість випаровування речовини при тисках, менших 1 мм рт. ст., така ж, як якби поверхня знаходилася в рівновазі зі своїм паром. Оскільки повторна конденсація випаруваних молекул була виключена, то він вивів вираз для максимальної швидкості випаровування, що збігається з рівнянням (3). Знаючи величину зменшення ваги нитки за певний час випаровування, Ленгмюр розрахував тиск парів вольфраму. Для того, щоб зробити це, необхідно молекулярну швидкість випаровування, див. рівняння (3), помножити на масу молекули. Це призводить до швидкості випаровування за масою [1]:
Г = mdNв/Ав dt = (m/2 ? kT) 1/2 р * (4)
Характер розподілу испаряемого речовини в просторі над випарником визначається двома основними параметрами: робочим тиском у вакуумній камері. Якщо тиск парів испаряемого речовини (металу) при температурі Tи не перевищує 1.33 Па, то при робочому тиску у вакуумній камері порядку 10-2 Па і менше молекули і атоми испаряемого речовини досягають поверхні підкладки без сутичок між собою і з молекулами залишкових газів. У цьому випадку говорять, що реалізується молекулярний режим випаровування і конденсації, для якого справедливі закони Ламберта-Кнудсена: розподіл в просторі потоку речовини, випаруваного з плоскої поверхні, пропорційно косинусу кута між напрямком поширенням парів і нормаллю до поверхні; число частинок, що потрапляють на поверхню підкладки, обернено пропорційно квадрату відстані між випарником і під ложкою. Ці закони є базовими при аналізі закономірностей формування плівок на поверхнях різної конфігурації. p align="justify"> При аналізі процесу формування покриттів на положки слід виділити два аспекти - фізичний і технологічний.
Фізичний аспект відображає закономірності формування початкових шарів покриття, характер поздовжньої і поперечної структур, рельєфу поверхні та ін
Не розглядаючи детально теорію зародкоутворення і основні закономірності початкового росту кристалів, відзначимо, що процес конденсації і структура сформованої плівки істотно залежать від кінетичних параметрів конденсації, температури і потенційного рельєфу підкладки, щільності падаючого молекулярного пучка, характеру взаємодії загрожених атомів з підкладкою. Із зазначених параметрів істотним є температура підкладки. Численними дослідженнями встановлено, що на нейтральній (неориентированной) підкладці молекулярний пучок конденсується тільки в тому випадку, якщо температура нижче деякої критичної Tкр. p align="justify"> Принципово можливі й реалізуються на практиці два механізми конденсації молекулярних пучків випаруваних речовин на різних підкладках-ПК (пар - кристал) і ПЖК (пар - рідина - кристал). Якщо реалізується механізм ПК, то частки, що конденсуються на початкових стадіях випаровування наважки, мають кристалічну будову, і надалі формується тільки кристалічна плівка. Мех...
