ня і прояви фоторезіста2Цех нової технікі23.05 - 10.06Цех нової технікі10.06 - 10.07 оптичне проізводство4Оправа для напилення хрома15Цех нової технікі23.05 - 10.06Цех нової технікі10.06 - 10.07Оптіческое проізводство5Оправа для напилення хрома10Цех нової технікі23.05 - 10.06Цех нової технікі10.06 - 10.07Оптіческое проізводство6Оправа для контроля3Цех нової технікі23.05 - 10.06Цех нової технікі10. 06 - 10.07Оптіческое проізводство7Кассета20Цех нової технікі23.05 - 10.06Цех нової технікі10.06 - 10.07Оптіческое производство8Технологическая тара10Цех нової технікі23.05 - 10.06Цех нової технікі10.06 - 10.07Оптіческое проізводство9Кассета для зняття фоторезіста2Цех нової технікі23.05 - 10.06Цех нової технікі10.06 - 10.07Оптіческое проізводство10Емкость для зняття фоторезіста2Цех нової технікі23.05 - 10.06Цех нової технікі10.06 - 10.07Оптіческое виробництво
7. Технічні завдання на проектування робочих фотошаблонів
Метою розробки технічних завдань є визначення допусків на лінійні і кутові параметри фотошаблонів лімбів, вимог з дефектності, виду зображень (позитивне або негативне, пряме або дзеркальне), застосовуваних заготовок та ін Технічні завдання, як на робочі фотошаблони, так і на фотошаблони-оригінали повинні містити такі відомості:
. Геодезический лімб, який буде виготовлятися способом зворотного фотолітографії, має темні елементи топології на світлому тлі, зображення цифр - дзеркальне, напрямок оцифровки - проти ходу годинникової стрілки. У цьому випадку для робочого фотошаблона слід вказати: зображення фотошаблона дзеркальне, негативне, елементи топології світлі на темному тлі, зображення цифр - пряме, напрямок оцифровки - по ходу годинникової стрілки;
2. Допустима кутова похибка розташування діаметрів осей штрихів лімба становить тільки В± 1,2 кут. сек. У цьому випадку кутову похибку слід встановити однакову для фотошаблона-оригіналу і робочого фотошаблона, і рівну В± 1 кут. сек., а робітники фотошаблони з необхідної кутовий похибкою слід отримувати методом відбору з декількох фотошаблонів;
3. Як правило, найбільш критичними допусками є допуски на ширину штриха. Поле допусків для лімбів може становити від 1 мкм (В± 0,5 мкм) до 5 мкм і більше. Необхідну поле допуску для термохімічної технології запису на плівках хрому (фотошаблон-оригінал) становить не менше 0,5 мкм. Для робочого фотошаблона, що виготовляється способом зворотного фотолітографії, допуск необхідно збільшити не менш ніж на В± 0,3 мкм. На таке ж значення має збільшитися допуск при виготовленні лімба способом зворотного фотолітографії.
Ширина штриха лімба 2Т2-1-79 становить 8 В± 2 мкм, лімб і робочий фотошаблон виготовляються способом зворотного фотолітографії. У цьому випадку допуск для фотошаблона-оригіналу складе ...
