Реферат Мікроструктурні дослідження сплавів системи CuInSe2-CuSbSe2

р до нульового потенціалу. Цей фактор робить істотний вплив на процеси накопичення заряду в похованні окисле КНС структур.

Представлені в даній роботі результати свідчать про те, що в даний час тільки КНС структури Smart Cut і SIMOX придатні для виробництва сучасних КМОП БІС завдяки високому структурному досконалості плівки кремнію. Виготовлені в КНІ структурах Smart Cut і SIMOX зразки КМОП БІС СОЗУ 8К продемонстрували більш високу радіаційну стійкість в порівнянні з зразками, виготовленими на КНС структурах. Отримати дані про радіаційної стійкості Dele Cut КНС структур не вдалося, оскільки не були отримані придатні зразки БІС.

Розроблені на НВО "Інтеграл" конструкції КМОП БІС СОЗУ 8К і технологія їх виготовлення в КНІ структурах дозволяє отримувати придатні зразки БІС. Очевидно, що для підвищення стійкості до повній дозі опромінення, обрана комбінація технологічних режимів формування як самих КНС структур, так і МОП транзисторів у КНІ структурах, не є достатньої і вимагає подальшої оптимізації. На закінчення відзначимо, що представляється принципово важливою активізація і проведення подальших досліджень з розробки вітчизняних технологій виготовлення КНС структур, оскільки масове виробництво мікроелектронних виробів можливе тільки на основі постановки серійного виробництва КНС структур з власної вітчизняної технології. При проведенні цих робіт НВО "Інтеграл" буде орієнтуватися на Smart Cut технологію формування КНС структур, засновану на імплантації водню і термокомпрессіонной сплавки. Ця технологія на відміну від технології SIMOX, забезпечує не тільки необхідний низький рівень дефектності плівок кремнію КНС структур, а й більш широкі можливості в управлінні параметрами похованого шару двоокису кремнію. Ця перевага носить принциповий характер, оскільки властивості похованого оксиду під час опромінення в чому визначають стійкість КМОП БІС до радіаційного впливу. За наше переконання саме в цій можливості закладені резерви для підвищення радіаційної стійкості КМОП БІС в КНІ структурах.

некогерентного обертанням перемагнічуватися також і плівки кобальт-вольфрам (25 вагу.% W, табл), володіють текстурою [001] ГПУ кобальту, столбчатой ​​мікроструктурою кристалітів і перпендикулярного магнітного анізотропією (ПМА). Експериментальна залежність Н з (j) за принаймні до кутів 30-40 про збігається з розрахунковою, якщо взяти S = ​​1.30, однак при великих кутах перемагнічування значне розходження експериментальної і розрахункової кривих вказує на істотний внесок іншого механізму перемагнічування, а саме процесів зсуву доменних кордонів [9].

Таблиця

Умови отримання, склад, ставлення інтенсивностей рентгенівських піків I 002 /I 100 та магнітні характеристики плівок Со-W (h ​​= 1 мкм)

Параметр

Со-15 вагу.% W