gn="justify"> U , (2.1)
де D U дорівнює сумі мінімальної напруги на джерелі струму Iо (1-2В) і напруг Uбе транзисторів. Типові значення D U = (3 Вё 5) У і повинні уточнюватися для кожної схеми ВК.
(В) (2.2)
На рис. 1.2 побудовані лінії навантаження вихідних (кінцевих) транзисторів. Нумерація транзисторів дана для рис. 1.1. br/>В
Рис. 2.1 Лінії навантаження вихідних транзисторів
Розрахуємо енергетичні параметри підсилювача класу АВ:
Для класу АВ значення Po і Рк повинні враховувати додаткові втрати потужності в точці спокою, споживана потужність в класі АВ з ненульовим струмом.
Середнє значення споживаного струму:
(А) (2.2)
споживається:
(Вт), (2.3)
де Iок = 5 Вё 50мА - струм спокою кінцевих транзисторів.
Вихідна потужність (на навантаженні):
(Вт) (2.4)
Потужність, розсіює на колекторах вихідних (кінцевих) транзисторів:
(Вт) (2.5)
Коефіцієнт корисної дії:
(2.6)
Потужність, розсіює на колекторах вихідних транзисторів, має максимум:
(Вт), (2.7)
при (В) . (2.8)
В
Рис. 2.2 Графіки залежностей,,
В
Рис. 2.3 Графік залежності ККД (Uнm)
3. Вибір кінцевих транзисторів, розрахунок площі теплоотводов
Вихідні транзистори вибираємо по гранично-допустимим параметрам:
(А) (3.1)
(В) (3.2)
(Вт) (3.3)
Вибираємо комплементарних пару npn і pnp транзисторів [3], мають близькі параметри:
VT4: КТ819Б (n-p-n)
VT5: КТ818Б (p-n-p)
Параметри обраних транзисторів :
Uкеmax = 40 (В);
Iкmax = 10 (А);
Pкmax = 60 (Вт);
Uотп4 = 0,6 (В);
b = h21е = 15 - статичний коефіцієнт передачі струму в схемі з загальним емітером;
Тпmax = 125 0 З-максимально-допустима температура колекторного переходу.
Розрахунок площі тепловідведення
Визначимо необхідну загальне теплове опір:
(град/Вт) (3.4)
де Тс = (35 Вё 40) 0 ...
