З - температура навколишнього середовища,
D Т = (5 Вё 10) 0 З - температурний запас.
Загальне тепловий опір складається зі складових:
RТ = RТП-к + RТК? Т + RТТ? с, (3.5)
де RТК? Т - тепловий опір корпус транзистора - тепловідвід;
RТТ? з - тепловий опір тепловідвід - довкілля;
RТП-к - тепловий опір колекторний перехід - корпус.
Для визначення RТП-к побудуємо графік рис. 3.1:
В
Рис. 3.1 Залежність Ркмакс (Т)
Величина RТК? Т визначається якістю теплового контакту корпус - тепловідвід. За відсутності електричної ізоляції між корпусом і радіатором можна прийняти RТК? Т = (0 Вё 0,2) град/Вт. p> Якщо застосовується електрична ізоляція, коли на загальний радіатор встановлюються два або більше транзисторів, що мають різні потенціали колекторів (корпусів), або за конструктивними вимогами на тепловідвід нульовий потенціал, то приймають RТК-Т = (0 , 2 Вё 0,5) град/Вт. Вибираємо RТК-Т = 0,2 град/Вт
Теплове опору тепловідвід - довкілля RТТ? з є характеристикою тепловідведення (радіатора), яка дозволяє визначити його мінімально-допустиму площу Sт.
, (3.6)
де Кт - коефіцієнт, що залежить від умов теплообміну радіатора з навколишнім середовищем. Для чорненого алюмінієвого ребристого тепловідведення без примусової вентиляції на основі емпіричних даних можна прийняти. p align="justify"> З (3.6) висловлюємо Sт враховуючи Кт:
. (3.7)
З (3.5) висловлюємо:
RТТ? з = RТ ? RТП-к? RТК? Т = 6,35 - 1,75 - 0,5 = 4,056 (град/Вт) (3.8)
Розраховуємо шукану величину Sт:
. (3.9)
Т.к. транзисторів 2, то площа тепловідведення необхідно подвоїти:
(см ВІ). (3.10)
4. Розрахунок елементів підсилювача потужності
Резистори, включені паралельно емітерним переходам предоконечних транзисторів, запобігають режим обриву бази вихідних транзисторів при замиканні предоконечних транзисторів і розраховуються за формулою:
. (4.1)
Резистори R3 і R4 виберемо от100-500 (Ом);
R3 = 500 (Ом) (4.2)
R4 = 500 (Ом) (4.3)
Вибираємо R3, R4 - МЛТ резистори з ряду Е96 [4]: ​​
МЛТ - 0.5 - 500 Ом В± 5%.
Визначимо вхідний струм вихідних транзисторів VT4-5: ​​
