етри захисних (демпфирующих) ланцюгів. p align="justify"> Модель Mosfet має інформаційний вихід m, який ми пов'язуємо з моделлю осцилографа (Scope1). Вхід g представляє керуючий електрод транзистора, на нього подаються імпульси з генератора Pulse Generator. Параметри блоку Mosfet наведені на малюнку 12. Діод імітує блок Diode. Параметри показані на малюнку 13. br/>В
В
Рис. 12. Рис.13. br/>
Навантаження (R2) і фільтр (С) імітується блоками Series RLC Branch.
В
В
Рис. 14. (R2) Рис. 15. (C)
.3 Підбір транзистора і діода за результатами обчислень
Транзистор: 2SK133
Напруга сток-витік 120В
Максимальний струм сток-витік 7А
Напруга затвора максимальне 14В
Напруга затвор-витік відсічення 1,5 В
Ток стоку 3А
Ємність затвор-витік 600пкФ
Час наростання максимальне 180нс
Час спаду 60нс
Діод: 2Д213А
Максимальна частота 50000Гц
Максимальний прямий струм 10А
Максимальна зворотна напруга 200В
Максимальний зворотний струм 200мкА
Ємність 500пкФ
.4 Графік вихідної напруги перетворювального пристрою
Графік вихідної напруги знімається з осцилографа. Він з'єднаний з вольтметром, підключеним паралельно навантаженні. br/>В
Рис.16.
Величина вихідної напруги в сталому режимі 80,5 В, при відносній тривалості відкритого стану транзистора рівній 0,44. Це говорить про прийнятну точності розрахунку параметрів схеми, так як величини не перевищують розрахункових. У перехідному режимі виникає невелика перенапруження величиною 85В. Час перехідного процесу складає 0,01 с. br/>
.5 Режим безперервних струмів дроселя
Режим безперервних струмів дроселя спостерігається при відносно невеликому опорі навантаження. Для опису цього режиму скористаємося малюнком 17. На ньому показані керуюче імпульсна напруга, струм колектора, напруга колектор-емітер, струм дроселя. Стрибки напруги колектор-емітер і спотворення форми колекторного струму обумовлені впливом демпфирующих ланцюжків, що входять в математичну модель транзистора. p> На інтервалі часу транзистор VT закритий, струм дроселя протікає через діод VD в навантаження R2 і конденсатор С. У момент часу відкривається транзистор VT і через нього на інтервалі часу протікає колекторний струм, обумовлений розрядом конденсатора С через діод VD через його інерційності. По закінченні процесів розсмоктування не основних носіїв у діодеVD (момент часу) конденсатор З відключається від дро...
