цесі виготовлення, так і в процесі експлуатації ГІС;
) високою хімічною інертністю до матеріалів наносяться плівок;
< p align = "justify">) стійкістю до дії нагріву в процесі нанесення плівок;
) здатністю до механічної обробки (поліровці, різанні)
) температурний коефіцієнт лінійного розширення повинен бути близький до температурних коефіцієнтах лінійного розширення наносяться плівок щоб уникнути відшаровування і розтріскування плівкових елементів.
В даний час в якості підкладки використовують ситалли для малопотужних ГІС; для потужних ГІС застосовують кераміку "поликор", а для особливо потужних ГІС - бериллиевую кераміку, що має дуже високу теплопровідність. У тих випадках, коли необхідна висока механічна міцність і жорсткість конструкції, застосовують металеві підкладки: алюмінієві, покриті шаром анодного оксиду або емальовані сталеві. p align="justify"> Габаритні розміри підкладок стандартизовані (таблиця 3). Товщина підкладок становить (0,35 - 0,6) mm. br/>
Таблиця 3.
Типорозміри плат ГІС
№ тіпоразмера123456789101112шіріна, mm9660483024201612101052, 5Дліна, mm12096604830242016161264
8. Способи нанесення тонких плівок
В даний час використовуються наступні способи нанесення тонких плівок на підкладку:
В· термічне випаровування;
В· іонно-плазмового напилення;
В· електрохімічне осадження.
8.1 Метод термічного випаровування
Метод термічного випаровування (вакуумного напилення) полягає в випаровуванні матеріалів і осадженні на підкладку у високому вакуумі. Достоїнствами методу є: висока швидкість осадження матеріалів; простота і отработанность технологічних операцій. Недоліками методу є: труднощі забезпечення високої відтворюваності властивостей плівок при осадженні речовин складного складу; трудність випаровування тугоплавких матеріалів; висока інерційність випарників. Спрощена схема термічного напилення представлена ​​на рис. 6. br/>В
Металевий або скляний ковпак 1 розташовують на опорній плиті 2. Підкладка 3, на яку наноситься напилення, закріплюється утримувачем 4. До нього примикає нагрівач 5. Напилення виробляється на нагріту підкладку. Випарник 6 складається з джерела напилюваного речовини і нагрівача. Поворотна заслінка 7 перекриває потік парів від випарника до підкладки. Напилення триває в плині часу, поки відкрита заслінка 7. p align="justify"> На підкладці створюються сприятливі умови для конденсації пари. Для отримання якісної плівки температура підкладки повинна бути оптимальною, звичайно (200-400) В° С. Занадто низька температура призводить до нерівномірного розподілу адсорбованих атомів, і плівка виходить різною товщини. Занадто висока температура підкладки може призвести до відриву щойно осіли атомів. p align="justify"> Швидкість росту плівок залежить від ряду факторів: температури нагрівача; температури підкладки; відстані від випарника до підкладки; типу матеріалу, який випаровується і т.д. Зазвичай швидкість росту плівок становить від десятків часток до десятків нанометрів в секунду. p align="justify"> Деякі поширені матеріали мають погану адгезію з підкладкою. У цьому випадку на підкладку спочатку наносять так званий підшар з гарну адгезію, а потім вже напилюють основний матеріал (наприклад, якщо основний матеріал - золото, то використовується подслой нікелю або титану). p align="justify"> Для того, щоб атоми газу, що летять до підкладки від випарника, відчували мінімальна кількість зіткнень, необхідно створити під ковпаком досить високий вакуум (не нижче 10 -6 мм рт. ст.).
У першокласних напилювальні установках вакуум порядку 10 -11 мм рт. ст.
8.2 Іонно-плазмове напилення (катодне напилення)
Спрощена схема катодного напилення представлена ​​на рис. 7. p align="justify"> На відміну від термічного методу тут відсутній випарник, його функцію виконує катод 5, який або складається з напилюваного матеріалу, або електрично контактує з ним. Роль анода грає підкладка з тримачем 3 і 4. p align="justify"> Простір під ковпаком спочатку відкачують до 10 -5 Г· 10 -6 <...
