99,999990,115 Трифторид азотаNF 3 99,81000, у т. ч. CF 4 - 500, CO - 130, N 2 -100, O 2 - 10016Закісь азотаN 2 O99, 99726, в т . ч. 10 - N 2 17КіслородO 2 < span align = "justify"> 99,998218 ФосфінPH 3 99,98181, в т. ч. 100 - H 2 , 50 - N 2 19МоносіланSiH 4 99,9945920 Чотирихлористий кремнійSiCl 4 99,6 Основні домішки: SiH 2 Cl 2 - 0,2% в рідкій фазі, SiHCl 3 - 0 , 2% в рідкій фазе21Гексафторід сериSF 6 99,97209, в т. ч. 100 - CF 4 22Гексафторід вольфрамаWF 6 99,99639, в т. ч. 20 - HF23Тріфторід хлораClF 3
.4 Основні технологічні операції
2.4.1 Очищення підкладки
Зрозуміло, що на будь підкладці в якомусь кількості присутні забруднення. Це можуть бути частинки пилу, молекули різних речовин, як неорганічних, так і органічних. Пилоподібні частки видаляються або механічною кистьовий, або ультразвукової відмиванням. Застосовуються методи з використанням відцентрових струменів. Процедура хімічної очистки зазвичай проводиться після ліквідації неорганічних молекул і атомів, і полягає у видаленні органічних забруднень. p align="justify"> Звичайна процедура очищення виконується в суміші H 2 OH 2 O 2 -NH 4 OH, яка забезпечує видалення органічних сполук за рахунок сольватується дії гідроксиду амонію і окисляє дії перекису водню. Для видалення важких металів використовують розчин H 2 OH 2 O 2
