хаотичні рухи по кристалу. При накладенні зовнішнього електричного поля E на пов'язані електрони діятиме сила q n E, тому вони, переміщуючись проти поля, будуть займати вакантну зв'язок. Наявність вакансій в зв'язках дозволяє валентним електронам переміщатися проти поля. Тим самим сукупність валентних електронів також бере участь в утворенні провідності напівпровідників.
Зручніше розглядати не рух сукупності валентних електронів, а рух вакантних зв'язків.
Позначивши число вакантних зв'язків через p, а їх рухливість через m p , можна виразити струм сукупності пов'язаних електронів таким чином:
J p = q p < span align = "justify"> m p pE = s p E. (1.1.7)
Вакантна зв'язок отримала назву дірки. Дірки розглядаються як певні квазічастинки, рух яких цілком адекватно руху валентних електронів. br/>
.2 Власні і домішкові напівпровідники
.2.1 Носії заряду у власних напівпровідниках
Провідність хімічно чистих (бездомішкового) напівпровідників називається власною провідністю, а самі напівпровідники - власними напівпровідниками.
На малюнку 1.2, а показана зонна структура власного напівпровідника при абсолютному нулі: над повністю укомплектованою валентної зоною I на відстані E g розташовується абсолютно вільна зона II.
В
Малюнок 1.2 - Зонна структура власного напівпровідника:
а - незбудженого; б - порушеної.
При температурі Т, відмінної від абсолютного нуля частина електронів з валентної зони переходить у вільну зону II (малюнок 1.2, б), яка, опинившись укомплектованої лише частково, стає зоною провідності. З іншого боку, раніше цілком заповнена зона I, втративши частину електронів, перетворюється на зону, заповнену також лише частково. Поява таких зон робить тіло провідником [5]. p align="justify"> Таким чином, основна особливість напівпровідника полягає в тому, що електрична провідність його є активованої: вона з'являється лише під впливом зовнішнього іонізуючого фактора (температури, опромінення, сильного електричного поля та ін), здатного електрони валентної зони перекинути в зону провідності.
Зона провідності, в яку переходить відносно невелике число електрон...
