Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые обзорные » Розробка магнітодіода

Реферат Розробка магнітодіода





до - Товщина концентратора;

О± - уго л між изгибной частиною концентратора і вертикаллю.

У до = 0,001 м; L до = 0,005 м;

А до = 0,003 м; Z = 0,002 м;

L = 0,003 м; С = 0,004 м;

A = 0,003 м; О± = 30 Вє.

Для розрахунку системи концентратор магнітного потоку умовно розбивається на ділянки, обмежені пунктирними лініями. Межі поділу обрані з урахуванням спрощення подальшого розрахунку.


В 
p> Рис. 3.1 Дипольна магнітна система. Схема шляхів розсіювання магнітного потоку: I - магніт; II - концентратори магнітного потоку; III - робочий зазор; провідності а) магніту: 1 - Lm, б) концентраторів: 2 - Lа 2 - Між бічними торцями; 3 - Lа 3 - Між прямими ділянками зовнішніх (зовнішніх) поверхонь; 4 - Lа 4 - між бічними поверхнями прямих ділянок; 5 - Lа 5 - між секторними ділянками бічних поверхонь; 6 - Lа 6 - Між внутрішніми ділянками вигнутих поверхонь; 7 і 8 - Lа 7 і Lа 8 - між бічними ділянками вигнутих поверхонь; 9 - Lа 9 - між внутрішніми прямими ділянками; 10 і 11 - Lа 10 - Між зовнішніми ділянками вигнутих поверхонь; 12 - Lа 12 - між зовнішніми ділянками вигину; в) робочого зазору: 13 - Lр


Розрахунок:

Загальна провідність магніту визначається з урахуванням того, що провідність множиться на 4 за рахунок обліку чотирьох площин розсіювання


, (3.1)


де Ој 0 - магнітна постійна (Ој 0 = 4ПЂ В· 10 -7 Гн/м). br/>В 

Визначається провідність розсіяння арматури, відповідна шляхах 2 і 4 (рис.3.1), причому для шляхів 4 провідність подвоюється за рахунок обліку обох сторін системи


, (3.2)

(3.3)


Провідність розсіяння арматури, відповідна шляхах 3

, (3.4)


де g1 і g2 визначаються з графіків (рис.3.2). Параметри g1 і g2 залежать відповідно від L до /С і A до /С. p>В 
br/>

Рис. 3.2. Провідність між паралельними прямокутними поверхнями, зверненими в протилежні сторони:


g '= f (m', n '), де,

g "= f (m", n "), де,


В 
Рис. 3.3. Заміна секторів квадратами: Т 1 - Відстань між квадратами, Х 1 - сторона квадрата


Для визначення провідності розсіяння 5 між секторними частинами сектори замінюються квадратами, еквівалентними за площею секторам, причому центри квадратів розташовані на лініях центрів мас секторів (рис.3.3) (провідність подвоюється за рахунок обох сторін системи)

, (3.5)


де X 1 і T 1 - відповідно сторона квадрата і відстань між ними.

Площа сектора


, (3.6)

В 

Сторона квадрата Х 1 і відстань між квадратами Т 1

В 

(3.7) <В 

Відстань між квадратами


, (3.8)

В В 

Провідності розсіяння арматури 6 розраховуються за аналогією з методом, як довжина відрізка, проведеного під кутом (ПЂ/2-О±/2) до еліпсу, освіченій півосями О›а 6_1 і О›а 6_2 (Рис.3.4-3.5)


В 
/Td> В 

(3.9)

В 

,

(3.10)

В 

Рівняння еліпса:

Рівняння прямої:

Знаходимо точку перетину еліпса і прямої: x = 4.9275 В· 10 -10

y = 1.8389 В· 10 -9

Знаходимо О›а 6 , як довжину відрізка між двома точками (0, 0) і (4.9275 В· 10 -10 ; 1.8389 В· 10 -9 ):



Провідності розсіяння 7 і 8 розраховуються аналогічно (7.5), іпользуя еквівалентні прямокутники


, (3.11)

, (3.12)


де Х 2 - Х 5 - сторони прямокутників; Т 2 і Т 3 - відстані між ними. Площі прямокутника (для шляхів розсіювання 7) і трикутника (для шляхів розсіювання 8) відповідно визначаються


, (3.13)

В 

, (3.14)

В 

Сторони нових прямокутників


, (3.15)

(3.16)

(3.17)

В 

(3.18)

В В 

Провідність розсіяння арматури 9 згідно


, (3.19)

В 

Провідності 10 і 11 об'єднуються в одну і розраховуються аналогічно п.5 (за полуосям еліпса О›а 10_1 і О›а 10_2 ), причому значення провідності, які відповідають полуосям еліпса, визначаються згідно рис.3.6, 3.7. Непаралельністю блізлежайшіх сторін фігури на даному етапі можн...


Назад | сторінка 7 з 15 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Операції з земельними ділянками
  • Реферат на тему: Технологічний процес штукатурення поверхонь сучасними гіпсовими штукатуркам ...
  • Реферат на тему: Обробна обробка зовнішніх і внутрішніх циліндричних поверхонь
  • Реферат на тему: Трьох-і чотирьох хвильове розсіяння світла на поляритонах в кристалах ніобі ...
  • Реферат на тему: Рівняння кривих та поверхонь іншого порядку