теграла (для пар Mn-S-Mn) J 1 / k Б = -14 , 1К.
У таблиці 1 наведені параметри, які визначені на основі отриманих П‡ Mn -1 = f ( T ) для зразків Hg 1-x Mn x S, а саме: зміст магнітної компоненти (х м ) (отримані на основі "усереднених" високотемпературних ділянок П‡ Mn -1 = f ( T ) при Т ~ 300К), парамагнітна температура Кюрі (Оё), температура зламу ( Т З ), значення ефективного магнітного моменту атомів марганцю (Ој еф ). Для даного х м нижня рядок параметрів відноситься до більш високотемпературного ділянці залежності П‡ Mn -1 = f ( T ).
При термообробці кристалів Hg 1-x Mn x S, які володіють досить вираженою як дефектною, так і кластерної підсистемами, створюються можливості для дифузії в кристал атомів парів компонент (при відпалі) і виривання з вузлів та міграції атомів по кристалу і заняття ними різних місць в кристалічній решітці: вакансій, міжвузлів, вузлів.
Дефектна система в цьому випадку може сприяти як зменшенню, так і збільшенню розмірів кластерів і утворенню нових кластерів, що проявляється як у зміні кінетичних коефіцієнтів кристалів (дефекти - електрично активні), так і в зміні магнітних параметрів зразків (парамагнитной температури Кюрі (q) та ефективного магнітного моменту атомів марганцю (m еф. )) (Табл. 2), а значить і залежностей П‡ Mn -1 = f ( T ), на основі яких вони визначаються.
Таблиця 2.
Магнітні параметри зразків Hg 1-x Mn x S
x м
n, см -3 (при Т = 300К)
Оё, К
Ој еф , Ој Б (на атом Мn)
до відпалу
після відпалу
до відпалу
після відпалу
до відпалу
після відпалу
0,025
до і після відпалу в парах ртуті
8,6 в€™ 10 17
1,2 в€™ 10 18
-15 -29 /Td>
-18 -54 /Td>
5,08 5,75
5,41 6,03
0,046
до і після в...
