еться виходячи з максимального числа елементів на поточному рівні M si і кінцевих розмірах кристала.
Результати зведені в таблицю 6.2:
Таблиця 6.2
УровеньСхемная Max МКМкомпоновкиинтеграцияинтеграция NiMiNsiMsiKimiKоптinсвiai, ммlсвi, ммlцi, ММI = 1101014142,43310,91,772,450,010,010,03 i = 225025312311,80344,31,952,860,0360,070, 19i = 34000204445221,3891691,922,090, 1990,320,68 i = 4175000363480003618492,11,980,9331,773,51
6.3 Розрахунок трасування здібності
Зробимо розрахунок сумарної довжини зв'язків, яка визначається окремо для кожного рівня компонування ( S L свi ) за формулою (6.9), а потім сумуються по кристалу в цілому ( S L св кр ), при цьому для кристала БІС, підсумовування довжин зв'язків має свої особливості:
S L свi = l < span align = "justify"> свi * N свi - для внутрішніх рівнях МКМ (i = 1,2,3)
S L свi = l < span align = "justify"> свi * S N свi - для зовнішнього рівня (i = 4).
Розрахунок щільності трас в кристалі (П тр кр ) проводиться за формулами (6.10) і (6.11) з урахуванням загальної сумарної довжини зв'язків в кристалі, його площі та ефективності використання трас рівна 0,7.
Результати розрахунків зведені в таблицю 6.3:
Таблиця 6.3
УровеньMax интегр
МКМКомпо-новкісмсм
см
см2
В
1/см
iNsiMsii = +1141435240,0335705845023 i = +2312312321881,274892 i = 344452271154317,600770 i = +43480003646053756817,158817
Визначимо трассіровочние здатність. При розрахунках використовуємо раніше розраховані значення параметрів, а також те, що кристал НВІС є симетричним (квадратна форма K Li = 1) і зовнішні контакти розташовані рівномірно по 4-тим сторонам (C xi = C
