an> yi = 1/4).
У процесі розрахунку скористаємося формулами (5.9), (6.6), (6.14-6.21), формулами на ст.102 та розрахункової моделлю конструкції, представленої в пункті 6.5.
Результати розрахунків зведені в таблицю 6.4:
Таблиця 6.4
Рів. МКМкомпоновкі i
В В В
трас
смсмтрасстрасстрассмммкмi = 1100,558411672085104221212545039,9 i = 2250i = 34000i = 4175000
Так як, в силу симетричності параметри одного напрямку провідників (X), повністю збігаються зі значеннями параметрів іншого напряму (Y), то в таблиці наведено параметри тільки для направлення (Х).
Визначимо початкові значення провідників в конструкції кристала за формулами:
ширина W пр = a тр /2,5 ... 3
товщина W пр = W пр /8 ... 9
Приймаємо значення коефіцієнтів 3 і 8 відповідно.
Результати розрахунків зведені в таблицю 6.5:
Таблиця 6.5
Позначення параметраПодложка МКМ а тр , мкм39, 9 < i align = "justify"> W тр , мкм15, 9 h тр , мкм1, 99
Значення параметрів, отримані в результаті розрахунків, можуть уточняється в процесі конкретного робочого проектування.
6.4 Розрахунок шаровості, структури і вибір числа потенційних шарів
Число потенційних шарів залежить від структури кристала. Структура кристала залежить від числа потенційних шарів. p align="justify"> Визначимо число потенційних шарів, знаючи, що трасування з'єднань здійснюється по всіх рівнях компонування МКМ, крім першого, на окремих шарах металізації.
Крок розміщення трас за напрямами Х, У становить а тр x = а тр y = 2,6 мкм , тоді на одному шарі може бути розміщено: 5,6 * 10 -3 /2,6 * 10 -6 = 2154 траси, при цьому їх середня довжина дорівнює: 2154 * 5,6 * 10
