сток відносяться вільні радикали і деякі короткоживучі молекулярні комплекси, які виникають в плазмі відповідних газів.
. Видалення фоторезиста обробкою в гарячій (70 - 80? С) суміші деметілформаміда і моноетаноламіна.
Травлення n шару
1. Нанесення позитивного фоторезиста ФП-РМ - 7 на основі резольной і новолачной смол, методом центрифугування.
. Сушка фоторезиста при температурі 100 С.
. Поєднання та експонування методом проекції (фотошаблон 2).
. Прояв в розчині тринатрийфосфата Nа 3 РO 4.
. Задубліваніе фоторезиста при температурі 130 С в кілька етапів, з поступовим підвищенням температури до 200 С.
. Травлення потоком хімічно активних, але нейтральних частинок. До таких часток відносяться вільні радикали і деякі короткоживучі молекулярні комплекси, які виникають в плазмі відповідних газів.
. Видалення фоторезиста обробкою в гарячій (70 - 80? С) суміші деметілформаміда і моноетаноламіна.
Виготовлення резисторів
1. Нанесення позитивного фоторезиста ФП-РМ - 7 на основі резольной і новолачной смол, методом поливу.
. Сушка фоторезиста при температурі 100 С.
. Поєднання та експонування методом проекції (Фотошаблон 2).
. Прояв в розчині тринатрийфосфата Nа 3 РO 4.
. Задубліваніе фоторезиста при температурі 130 С в кілька етапів, з поступовим підвищенням температури до 200 С.
. Нанесення шару матеріалу резисторів ренію методом катодного осадження.
. Видалення фоторезиста обробкою в гарячій (70 - 80? С) суміші деметілформаміда і моноетаноламіна.
Нанесення нижньої обкладки конденсаторів
1. Нанесення позитивного фоторезиста ФП-РМ - 7 на основі резольной і новолачной смол, методом центрифугування.
. Сушка фоторезиста при температурі 100 С.
. Поєднання та експонування методом проекції (Фотошаблон 5).
. Прояв в розчині тринатрийфосфата Nа 3 РO 4.
. Задубліваніе фоторезиста при температурі 130 С в кілька етапів, з поступовим підвищенням температури до 200 С.
. Напилювання першого шару металізації Au методом плазмохимического осадження.
. Видалення фоторезиста обробкою в гарячій (70 - 80? С) суміші деметілформаміда і моноетаноламіна.
Формування лунок під затвор
1. Нанесення позитивного фоторезиста ФП-РМ - 7 на основі резольной і новолачной смол, методом поливу.
. Сушка фоторезиста при температурі 100С.
. Поєднання та експонування методом проекції (Фотошаблон 5).
. Прояв в розчині тринатрийфосфата Nа 3 РO 4.
. Задубліваніе фоторезиста при температурі 130 С в кілька етапів, з поступовим підвищенням температури до 200 С.
. Травлення потоком хімічно активних, але нейтральних частинок. До таких часток відносяться вільні радикали і деякі короткоживучі молекулярні комплекси, які виникають в плазмі ...
