Внутрішній розмір же фотошаблона (при використанні негативного фоторезиста це буде та область, в яку проводиться дифузія) повинен бути трохи більше (див. рис.). Зовнішній розмір фотошаблона візьмемо на 10 мкм більше внутрішнього. В результаті вийде конструкція такого вигляду:
Рис.8. Частина шаблону під роздільну дифузію.
Причому це не весь фотошаблон, а тільки той його ділянку, який призначений для ізолювання саме цього дифузійного резистора, т.к. процес ізолювання областей під окремі елементи ІМС повинен проходити в один етап.
При дифузії домішки р-типу і розтині контактних вікон розміри фотошаблона повинні строго збігатися з розмірами резистора, так як саме дифузія акцепторної домішки визначає реальні розміри резистора:
Рис.9. Частина шаблону під дифузію р-домішки.
Фотошаблон для розтину контактних вікон:
Рис.10. Частина фотошаблона для розтину контактних вікон.
Технологія процесу
Перенесення малюнка фотошаблона в поверхневий шар пластини відбувається в три стадії: експонування фотослоя через фотошаблон та освіта прихованого зображення; прояв і задубліваніе малюнка, тобто формування захисної фотомаски; травлення поверхневого шару пластини на незахищених ділянках.
Процес формування рельєфу в поверхневому шарі пластини будемо проводити за допомогою негативного фоторезиста ФН - 106. Схема цього процесу представлена ??на рис.11.
Рис.11. Процес формування: 1 - УФ випромінювання; 2 - Фотошаблон; 3 - Шар фоторезиста; 4 - Поверхневий шар на пластині; 5 - Пластина
Етапи підготовки пластини перед нанесенням фотослоя:
1) видалити молекули води (прогріванням пластин при 700 - 800? С в сухому інертному газі)
2) підвищити гидрофобность (шляхом занурення пластин в 10%-й розчин діметілдіхлорсілан в обезвоженном трихлоретиленом на 1 хв і наступного промивання пластин в трихлоретиленом протягом 1 хв і термообробки при 400? С протягом 30 хв)
) провести ефективну і безпечну очистку в емульсії «фреон - вода - ПАР» на першому етапі і в чистому фреоне на другому
Нанесення та сушка фотослоя. Для здійснення цього процесу в приміщенні необхідно забезпечити обеспиленную атмосферу 1-го класу. Для нанесення фотослоя застосовуємо метод розпилення, здійснюваний на напівавтоматі для нанесення фоторезиста розпиленням ПНФ - 1Р, схема якого представлена ??на рис.12.
Рис.12. Схема компонування напівавтомата ПНФ - 1Р: 1 - Підстава; 2 - Рухомий стіл з пластинами; 3 - Рухома форсунка; 4 - Внутрішній захисний кожух; 5 - Загальний захисний кожух
В якості інжектується газу використовуємо пари фреону - 113, які через свою великої молекулярної маси дозволяють істотно знизити тиск.
Просушувати нанесений фотослой в нашому випадку доцільно інфрачервоною сушкою, джерелом теплоти при якій є напівпровідникова пластина, що поглинає ІЧ-випромінювання, тоді як навколишнє середовище зберігає приблизно кімнатну температуру завдяки безперервній продувці. При цьому методі якість сушіння істотно вище, ніж при конвективної сушінні, але в то...
