і розчини Si1-xGex вірощені методом ЖФЕ на монокрісталічніх підкладках мазкі КЕФ-5 з Пітом опором и крісталографічною орієнтацією (111) [6].
Перш за все це означає, что розвернуті виробництво кремній-германієвих злітків и пластин на Наявний в России парку устаткування - це питання невеликого годині. Для ціх матеріалів Можливо використовуват наявні установки ЗРОСТАННЯ, різкі шліфовкі епітаксіального нарощування и того подібне без змін конструкції І, Можливо, без значного втручання в технології, что діють.
3.3 Діслокації в місцях концентраційніх флуктуацій
У монокристалах германієвих сталева, вірощеніх з розплаву, віявлені виряджай краєвіх діслокації, розташованіх паралельно тім послідовнім положенням, Які пріймає Поверхня розділу рідина-тверда фаза в процесі твердіння [7]. Діслокації, мабуть, утворюються того, что смороду зніжують Енергію пружної напруги между сусіднімі кулями кристала, что мают Різні параметри грат.
Ямки розташовуються строго паралельно Смуга флуктуації складу, з чого зрозуміла причина їх Виникнення. Виряджай віявляються парами, что пов'язане Із смужчатістю складу сплаву, что формується при зростанні злітка; при цьом смороду з'являються Тільки уздовж Деяк смуг, це обумовлено тим, что діслокації утворюються позбав тоді, коли Градієнт концентрації досягає критичного значення, а пов'язаного з пружньо напругою, необхідною для Утворення діслокації. Ці діслокації могут однозначно зніжуваті годину життя носіїв заряду в германієво-кремнієвіх сплавах и негативно позначатіся на параметрах пріладів, виготовленя з таких сталева.
ВИСНОВКИ
1 Швидке ЗРОСТАННЯ виробництва й Підвищення надійності виробів Електронної техніки залежався НЕ Тільки от методів їхнього виготовлення й культури, альо ї у значній мірі від електрофізичних й других властівостей застосовуваного матеріалів, Які в багатьох випадка візначає параметри напівпровідніковіх пріладів ї інтегральніх мікросхем и вплівають на Стабільність їхньої роботи в електричних и теплових режимах, а такоже при трівалому зберіганні.
2 Властивості напівпровідніковіх матеріалів дозволяють отрімуваті монокристалів Із заданими параметрами Шляхом апроксімації залежності властівостей від складу. Можливе Використання установок, что діють, для всіх етапів виробництва злітків, пластин и епітаксіальніх композіцій.
3 Хороші частотні Властивості пріладів, виготовленя за кремній - германієвою технологією, дозволяють застосовуваті їх в области ВЧ и СВЧ частот вместо пріладів на арсеніді галію.
4 Широке ! застосування знаходять Напівпровідникові монокрісталічні плівкі Германія. Використання монокрісталічніх плівок у технології виготовлення напівпровідніковіх пріладів и ІМС сполучено з більшімі ВТРАТИ Германія при механічній обробці (різання, шліфування, полірування).
ЛІТЕРАТУРА
1 Курносов А.І. Матеріали для напівпровідникових приладів і інтегральних мікросхем. - М.: Вища. школа, 1989. - 327 с. p> 2 Єфімов І.Є., Козир І.Я.. Основи мікроелектроніки. - Москва: Вища школа, 1983. -384с. p> 3 Степаненко І.П. Основи мікроелектроніки. - М.: Радянське радіо, 1986. - 424с. p> 4 Методичні вказівки до лабораторних робіт Із курсу В«Технологічні основи електронікиВ». І.Ю. Проценко, А.М. Чорноус, Л.В. Однодворець. Суми: СумДУ, 1988. - 43с. p> 5 # "#">
7 Фізичне металоведеніе. Вип. I. Атомну будову металів і сплавів/За ред. Новікова І.І. - Москва: Мир, 1967. - 335с. p> 8 Закалік Л.І., Ткачук Р.А. Основи мікроелектронікі. - Тернопіль: ТДТУ ім .. І.Пулюя, 1998. - 352 с. br/>
