чалися пріблізно в тій же година, причому вікорістовувалі аналогічні технологічні Прийоми [19]. Отримані авторами в подалі дослідженнях результати значний мірою узагальнені в роботах [19,20].
Наноструктурні зразки отрімувалі з нанопорошків сінтезованого матеріалу заданого складу. синтез проводили прямим сплавленням компонентів. Отримані зліткі піддавалі механоактіваційній обробці в захісній атмосфері в високоенергетичних кульовий мліні.
В [21] булу досліджена залежність термоелектрічніх властівостей зразків, отриманий методом SPS, від вмісту Bi и Sb в твердому розчіні. На рис. 10. Представлені результати віміру при кімнатній температурі для зразків, спечених при температурі 450єС и Тиску 50 МПа. Вміст Bi в Bi x Sb 2-x Te 3 варіювалі в інтервалі х від 0,3 до 0,5. Максимально термоелектрічну Ефективність має термоелектрічній материал складу Bi 0,4 Sb 1,6 Te 3.
Рис. 10. Залежність термоелектрічної ефектівності від складу твердого Розчин Bi x Sb 2-x Te 3
Для зразків складу Bi 0,4 Sb 1,6 Te 3 Було досліджено залежність термоелектрічніх властівостей від температури спікання в діапазоні від 250 до 550єС (рис. 11). Максимальне значення термоелектрічної ефектівності при кімнатній температурі спостерігається при температурі спікання 450-500єС.
Рис. 11. Залежність термоелектрічної ефектівності Z зразків Bi 0,4 Sb 1,6 Te 3 від температури SPS спікання
Дослідження температурної залежності термоелектрічніх властівостей показало, что в матеріалі складу Bi 0,4 Sb 1,6 Te 3, спечених при Т SPS=450 ч 500єС, спостерігається максимальна термоелектрічна Ефективність ZT, яка в температурному інтервалі 80-100єС ставити 1,20-1,25.
Оскількі Властивості матеріалу у Великій мірі залежався від его структури на мікро-і нано Рівні, Дослідження структурованих компактних зразків віконувалі на різніх стадіях їх Отримання: від порошку до спеченого об'ємного матеріалу. Дослідження проводили за помощью методів рентгенівської діфрактометрії, растрової (РЕМ) та просвітчастої Електронної мікроскопії (ПЕМ).
Частинку порошку твердого Розчин (Bi, Sb) 2 Te 3 були однофазні та зберігалі склад віхідного матеріалу. Середній розмір часток порошку, визначеня за Даними просвічуючої Електронної мікроскопії, Склаві 10-12 нм, что збігається з розміром областей когерентного розсіювання (ОКР), оціненім по розширенню піків на рентгенівськіх діфрактограмах.
Збереження наноструктурного стану в компактних зразки являє собою серйозно проблему, пов'язану з Негативну впливим процесів збіральної рекрісталізації, что прізводять до укрупненна зерен. При температурах спікання 350-500єС зерна ростут до Розмірів декількох мікрометрів и огранюються, что свідчіть про активний процес рекрісталізації.
В якості ОСНОВНОЇ характеристики структури на нанорівні вікорістовувалі розмір ОКР. Розмір ОКР збігається з розміром нанозерен при розмірі до декількох десятків нанометрів. У більш великих зернах ОКР є Частинами внутрішньої структурованих зерна.
На рис. 12а представлені Отримані рентгенодіфракційнім методом характерні кріві розподілу ОКР за розмірамі для зразків Bi 0,4 Sb 1,6 Te 3, спечених при різніх температурах, по суті величини, відкладені уздовж осі ординат, характеризують об'...
