Зміст
Введення
1. Теоретичний розділ
.1 Сутність плазмохімічного травлення
.2 Методи плазмового травлення
.3 Фактори, що визначають технологічні параметри процесу плазмового травлення
. Технологічний розділ
.1 Устаткування для виконання процесу
.2 Атестація обладнання
.3 Види шлюбу та їх причини
. Експериментальний розділ
. Економічний розділ
. Охорона праці
Висновок
Список використаних джерел
Введення
Масове виробництво виробів мікроелектроніки неможливо без літографічних операцій. Це в рівній мірі відноситься як до дискретним напівпровідниковим приладам (діоди, транзистори), так і до інтегральних мікросхем будь-якої складності.
Більш того, при виняткової важливості абсолютно всіх технологічних операцій, процеси літографії в першу чергу визначають якість своєї продукції і науково-технічного рівня в цілому, тому всі стадії процесу літографії (фотолітографії) важливі.
Травлення металів, тобто формування малюнка топології на технологічному шарі (металізації), є кінцевою завданням фотолітографії. І від якості травлення залежать електропараметрів і відсоток виходу придатних виробів, внаслідок цього, труїть металів є одним з найважливіших технологічних процесів (ТП), якому необхідно приділяти велику увагу.
Відповідно до концепції розвитку, основним напрямком подальшого розвитку НПО Інтеграл є розробка виробів з субмікронними топологічними нормами (від 0,6 до 0,25 мкм). Це зажадає розвитку, як парку відповідного технологічного обладнання, так і розробки нових технологічних процесів з використанням нових матеріалів і способів їх обробки.
Тому, актуальність мого дипломного полягає у вивченні методів травлення металів, обладнання для проведення даних ТП та вибору методу і устаткування для процесів травлення металів, найбільш придатних для виконання поставленого завдання.
1. Теоретичний розділ
1.1 Сутність плазмохімічного травлення
Сухі методи травлення не тільки позбавлені технологічних недоліків, властивих рідинного, але й сприяють підвищенню культури виробництва та санітарно-гігієнічного стану фотолітографічних ділянок; знімають питання транспортування, зберігання та утилізації шкідливих хімреактивів; збільшують точність контролю і відтворюваність процесів фотолітографії, а також забезпечується висока продуктивність і можливість автоматичного регулювання процесів травлення.
Зазвичай виділяють два різновиди плазмових процесів травлення - безпосередньо плазмові й іонні.
Плазма - частково або повністю іонізований газ, що складається з позитивно і негативно заряджених іонів, загальний заряд яких дорівнює нулю, підпорядковується газовим законам, проводить електричний струм і управляється магнітним полем. Плазма підрозділяється на гарячу і холодну. За одиницю температури приймається еВ рівний 1600 К. Температура гарячої плазми становить 100 еВ, а холодної близько 10 еВ. До гарячої плазмі відноситься інфрачервоне випромінювання і рентгенівське, а до холодній плазмі ультрафіолетове випромінювання. Докладене електричне поле із зовні, може не тільки іонізувати газ, але й порушувати в утвореній плазмі електричний струм.
В якості газів-реагентів для травлення застосовують галогени, галогеноводороди, пари води, сполуки сірки, які додають у невеликих кількостях до газоносителя.
При плазмохімічному (ПХТ) травленні поверхні напівпровідникових пластин обробляються хімічно активними атомами або радикалами, які надходять з високочастотної плазми в п'ять етапів:
- доставка молекул активного газу в зону розряду;
- перетворення цих молекул в активні радикали під впливом електронів в плазмі розряду;
- доставка радикалів до поверхні матеріалу, піддавали травленню;
- взаємодія радикалів з поверхнею матеріалу (адсорбція, хімічна реакція і десорбція);
- відведення продуктів реакції з робочої камери.
Цей метод полягає в тому, що руйнування оброблюваного матеріалу відбувається завдяки хімічним реакціям між іонами активного газу або іншими частками, що утворюються в плазмі газового розряду, і атомами цього матеріалу. При цьому в результаті хімічних реакцій утворюються леткі сполуки. При плазмовому травленні в якості робочих використовуються галогеносодержащіе гази.
Вибір галогеносодержащих газів обумовлений тим, що саме в цій плазмі з'являються елементи, що реагують з застосовуваними в мікросхемах матеріал...
