Реферат
Вплив граничних умов на критичну температуру неоднорідних надпровідних мезоструктур
В
Дослідження неоднорідних надпровідних мезоструктур, в яких надпровідність обумовлена ​​наявністю ефекту близькості, становлять великий інтерес як з прикладної, так і з фундаментальної точок зору.
У даній роботі розглядається проблема впливу зовнішніх кордонів на критичну температуру структур типу надпровідник/нормальний метал (S/N) і надпровідник/феромагнетик (S/F). В якості структур типу S/N були розглянуті тришарові зразки виду N/S/N і S/N/S. В якості структур S/F типу досліджувалися біслойную S/F структури.
Вимірювання для багатошарових структур S/N типу проводились на тришарових зразках Cu/Nb/Cu і Nb/Cu/Nb, деталі приготування наведені в [1]. Вимірювання для структур S/F типу були виконані на зразках Nb/PdNi деталі приготування описані в [2].
Критичні стани для структур типу S/F і S/N у відсутності зовнішнього магнітного поля без урахування парамагнітного і спін-орбітальної взаємодії, можуть бути описані за допомогою рівнянь Узаделя [3]. В якості умов зшивання на площинах контакту надпровідного і ненадпровідні шарів використовувалися умови Купріянова - Лукичева [4]. Метод рішення наведено в [5].
З [5] випливає, що рішення граничної задачі залежить від наступних параметрів. Для S/N структур - від критичної температури масивного надпровідного матеріалу (Nb) T S , частоти Дебая w D , довжин когерентності в надпровідного і несверхпроводящем шарах:
,
,
де D S , D N ( F ) - постійні дифузії надпровідного і нормального (феромагнітного) металів; параметра прозорості S/N (F) межі, і параметра
,
де r S , r N ( F ) - низькотемпературні (при T = 10 K) питомі опору надпровідного і нормального (феромагнітного) металів, відповідно. У випадку S/F структур, крім зазначених вище параметрів, підгінним також виявляється ще один параметр - енергія обмінної взаємодії E ex .
дебаєвсьного частота, будучи параметром обрізання, повинна бути досить великою, щоб не впливати на критичні характеристики надпровідника. Ця умова з великим запасом виконується для досліджуваних матеріалів. Зокрема, для Nb w D = 275 K. Для визначення довжини когерентності тришарових S/N структур x S = 6.4 нм були виконані окремі вимірювання H c2 (T). Для біслойних S/F структур отримано x S = 6 нм [2].
Значення параметра p = 2.77 в розглянутому експериментальному випадку для Cu/Nb/Cu визначається цілком однозначно. Для структури Nb/Cu/Nb виявляється можливим отримати лише оцінку, p В» 2.0 - 8.5. Для структури Nb/PdNi згідно [2] - p В»0.1 - 1.29.
Параметр T S
