b> досить впевнено можна задати для N/S/N, порівнюючи асимптотики експериментальної і теоретичної залежностей T c (d S ); в результаті для Cu/Nb/Cu маємо T S В» 9 K. Для Nb/Cu/Nb можна встановити лише інтервал допустимих значень 7.5 K S <9.2 K. Для Nb/PdNi з асимптотичного значення T c (d S ) при T c в†’ в€ћ отримано - T S В»8.8 K. Для структури Nb/PdNi згідно [2] отримано значення E ex = 230 К.
Параметри і x N для структури N/S/N функціонально пов'язані тобто існує крива (x N ), всі крапки якої дають одну і ту ж залежність T c (d S ) (вставка до малюнку 1a). На малюнку 1a білими квадратами представлена ​​залежність, розрахована зі значеннями підгінних параметрів T S = 9 K, x S = 6.4 нм, p = 2.77, = 0.98, x N = 34 нм, експериментальні дані позначені чорними крапками.
Спробуємо тепер відтворити експериментальну залежність (чорні точки на рис. 1b) T c (d N ) для структури Nb/Cu/Nb з набором параметрів, визначених в задачі про відновленні залежності T c (d S ). Виявляється, що при заданих p = 2.77, T S = 9 K не існує значень (, x N ), відтворюючих експериментальну залежність T c (d N ). На малюнку 1b трикутниками вістрям вниз представлена ​​теоретична крива T c (d N ), побудована за параметрами = 0.98, x N = 34 нм, - бачимо повну невідповідність експериментальними даними по структурі Nb/Cu/Nb. Відтворити експериментальну залежність T c (d N ) можливо, одночасно змінюючи значення підгінних параметрів p, T S . На малюнку 1b трикутниками вістрям вгору показана крива, розрахована зі значеннями підгінних параметрів = 0.98, x N = 34 нм, p = 2.77, характеризують структуру Cu/Nb/Cu, і при T S = 8 K; однак гарну згоду теорії і експерименту досягається при цьому істотним зміною довжини когерентності: x S = 8 нм. На тому ж малюнку білими квадратами позначена теоретична залежність T c (d N ), розрахована з параметрами структури Cu/Nb/Cu x S = 6.4 нм, = 0.98, x N = 34 нм, і T S = 9 K, і з підгонкою параметра p; його значення, p = 9.8, виходить за межі інтервалу допустимих значень. Був отриманий також набір можливих значень параметрів (T S , p), відновлюючий залежність T c (d N ) для S/N/S структур.
В
Малюнок 1. Залежності T c (d S ) (A) і T c (d N ) (B) для тришарових S/N структур.
На малюнку 2a лінією позначена теоретична залежність T c (d S ) для біслойних S/F структур, розрахована зі значеннями підгінних ...
