valign=top>
- концентрація донорної домішки в колекторі
В В
- питомий об'ємний опір колекторної області
В В
- питомий поверхневий опір пасивної області бази
В
Г°
- питомий поверхневий опір активної області бази
В
Г°
- дифузійна довжина дірок в емітер
В
см
- коефіцієнт дифузії дірок у емітері
В В
- дифузійна довжина електронів в базі
В
см
- коефіцієнт дифузії електронів в базі
В В
- дифузійна довжина дірок у колекторі
В
см
- коефіцієнт дифузії дірок у колекторі
В В
- концентрація носіїв зарядів у власному напівпровіднику
В В
- відносна діелектрична проникність напівпровідника
В
-
Основні параметри дрейфового транзистора при малих рівнях струмів визначаються по формулами, які поміщені нижче. Розміри транзистора визначаються, виходячи з особливостей конструкції і величини О” (зазвичай приймають О” = 3 ... 4 мкм).
Ширина емітера R е = 3О”, площа емітера S е = 300 мкм 2
Довжина емітера:
В ; (1)
В В
мкм
Довжина бази:
В (2)
Значення омічних опорів областей транзистора можна оцінити за формулами:
В (3)
В
В
Ом
В (4)
В
Ом
де К до = 0 для конструкції з одним базовим контактом;,-питомий поверхневий опір пасивної та активної областей бази, Ом/в–Ў; (100 - 300) Ом/в–Ў; (1 - 10) кОм/в–Ў; hк - товщина колекторної області, см, (2 -10) мкм; hб - глибина залягання pn - переходу база - колектор, см, (1 - 3) мкм; ПЃк - питомий об'ємний опір колекторної області Ом * см; (0,1 - 1)
Ширина бази становить:
В (5) p> де = (0,5 - 2,5) мкм
В
мкм
Коефіцієнт перенесення обчислюється за формулою:
В (6)
де - дифузійна довжина бази, = (2 - 50) мкм; - концентрація донорної домішки у емітерного переходу,
= (0,1-1) * 10 18 см; - концентрація донорної домішки в колекторі, см -3 , = (0,05 - 1) * 10 17 ; <В В
Коефіцієнти, і вираховуються за формулами:
(7)
В
мкм;
В (8)
В В
В (9)
Максимальні напруги переходів (колектор - база, емітер - база, емітер - колектор) розраховуються за формулами:
В
(10)
В
В
В (11)
В
В
В (12)
В
В
В В В
- концентрація носіїв заряду у власному напівпровіднику.
Інверсний коефіцієнт передачі транзистора ( Bi ) можна визначити за такою формулою:
В
(13)
В
Ємність переходу колектор-база емітер - база визначимо як:
В
(14) br/>
Ф;
В (15) p> Ф;
В
В
Зворотний струм емітера визначається за формулою:
(16)
А;
Зворотний струм колектора визначається за формулою:
(17)
А;
[8. стр.20-27]
Розрахунок параметрів транзистора, необхідних для реалізації транзистора VT1 в інтегральному виконанні, показав що довжина емітера Ze = 144 мкм досить велика. Ставлення параметрів Zе/Re> 1, отже доцільно довгу емітерних смужку розділити на кілька коротких емітерів, що і було зроблено в ході розробки топології ІМС.
Вирішивши нерівністьВ отримали, що М = 3. Отже вихідний емітер розбиваємо на три смужки. br/>
Таблиця 3.1.2 Розрахункові параметри транзистора КТ805А. table>
Найменування параметра
Значення
Одиниця виміру
- коефіцієнт передачі
9.086E +4
-
- коефіцієнт інжекції емітерного переходу
0.99
-
- коефіцієнт переносу
1
-
-дифузійна довжина акцепторів
5.212E-7
см
- дифузійна довжина донорів
1.158E-7
см
-ширина бази...
