>
На вході схеми напруга дорівнює нулю (рис. 2.4.1). На переході база-емітер напруга також дорівнює нулю (див. рис. 2.4.2);
Струм бази Іб (рис. 2.4.3) і струм колектора Ік (рис. 2.4.4) близькі до нуля (якщо не вважати початковий струм I).
У момент t0 з'явилося вхідна напруга (рис. 2.4.1). Однак, напруга на переході база-емітер (рис. 2.4.2) буде плавно наростати до моменту часу t1 по експоненті за рахунок заряду конденсаторів СБЕ і СБК через резистор Rб.
У момент часу t1 напруга на переході база-емітер досягло 0,5 Вольт (рис. 2.4.2). При подальшому збільшенні напруги база-емітер до величини приблизно 0,7 В (рис. 2.4.2) з'являється струм бази (рис. 2.4.3) і струм колектора (рис. 2.4.4). Від моменту часу t1 до t2 транзистор працює в активному режимі. Конденсатор СБК включений в ланцюг негативного зворотного зв'язку (див. рис.2.1). Така схема називається «інтегратор Міллера». Струм бази і струм колектора лінійно зростають до режиму насичення. Напруга Uке (рис. 2.4.5) зменшується від максимального значення в момент часу t1 (трохи меншої напруги джерела живлення Ек) до мінімального значення (Uке нас ў 0,2 ... 0,4 В) в момент часу t2.
Надалі (до моменту t3) струм колектора Ік і напруга Uке не змінюються, а струм бази зростає до максимального значення:
б вх=Uвх / Rб. (2.3)
Відношення:
Кнас=Іб вх / Іб нас (2.4)
називається коефіцієнт насичення. Це ставлення показує у скільки разів реальний вхідний струм бази (Іб вх) більше необхідного для насичення струму бази - Іб нас (див. формулу (2.2)).
У момент часу t3 закінчується перехідний процес і електронний ключ знаходиться в другому стані. У режимі насичення напруга на базі Uбе=0,7 ... 0,8 В, а напруга на колекторі Uке=0,2 ... 0,4 В.
У момент часу t4 закінчується вхідний імпульс. Однак накопичилися в конденсаторі СБЕ заряди будуть поступово розряджатися через перехід база-емітер із зменшенням струму бази до величини Іб нас (див. рис. 2.4.2 та рис. 2.4.3). При цьому струм коллекторак і напруга Uке (див. рис. 2.4.4 і рис. 2.4.5) не змінюються, тобто транзистор продовжує залишатися в режимі насичення. Інтервал часу між t4 і t5 називається часом розсмоктування. Цей час буде тим більше, чим більше коефіцієнт насичення (див. формулу (2.4)).
З моменту часу t5 до моменту часу t6 транзистор знаходиться в активному режимі з поступовим зменшенням струму бази (ріс.2.4.3) і струму колектора (рис. 2.4.4).
При закриванні транзистора (з моменту часу t5 до t7) зростання напруги Uке сповільнюється за рахунок заряду конденсаторів СКЕ і Сн (див. рис. 2.1) від джерела живлення + Ек через резистор Rк.
У момент часу t7 можна вважати перехідною процес завершеним, електронний ключ повертається в початковий стан. Зазвичай час закривання електронного ключа (від моменту t4 до t7) значно більше часу відкривання електронного ключа (від t0 до t3).
При виборі елементів електронного ключа необхідно враховувати, що амплітуда напруги вхідного імпульсу дорівнює амплітуді напруги вихідного імпульсу (тобто майже дорівнює напрузі джерела живлення + Ек). З урахуванням формул (2.1) - (2.4) можна записати:
...
