Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Новые рефераты » Релаксорние сегнетоелектріки в системі твердих розчинів

Реферат Релаксорние сегнетоелектріки в системі твердих розчинів





µ Вў Вў для складів х = 0.2 (а, б) і х = 0.4 (в, г)


Спостережуване низькотемпературне плече на кривих Оµ Вў (Т) і розмитий максимум на кривих Оµ Вў Вў (Т) закономірно зміщуються в бік більш високих температур з збільшенням частоти вимірювального поля. Температурна область, в якій має місце релаксорное поведінка Оµ Вў і Оµ Вў Вў, зміщується в бік більш низьких температур з збільшенням х. Показано, що температура максимуму Тm Вў Вў на кривих Оµ Вў Вў (Т) пов'язана з відповідною частотою (f) співвідношенням f = f0exp (-Ea/kT). Енергія активації Еа змінюється в межах 0.41-0.46 еВ в Залежно від складу.

Встановлено характер частотної залежності складових електропровідності. На малюнку 2 для прикладу наведена частотна залежність дійсної компоненти питомої електропровідності (s Вў) кераміки з х = 0.2 при різних температурах.

З аналізу наведених залежностей s Вў визначена питома електропровідність постійного струму (sdc) і встановлено характер її зміни з температурою. На кривих залежності ln sdc від зворотної температури (рис. 3) виявляються два зламу, які можуть бути пов'язаний з фазовими переходами. Температури спостережуваних зламів для досліджуваних складів кераміки (1-x) KN-xBZN (0.2 ВЈ х ВЈ 0.4) слабко залежать від х. Кераміка даних твердих розчинів є високоомним діелектриком (при температурах нижче 400 К

sdc <10-10 Ом-1см-1).


В 

Побудовано М Вў Вў-М Вў діаграми, що визначають співвідношення уявної (М Вў Вў) і дійсної (М Вў) складових комплексного електричного модуля (М * = М Вў + iм Вў Вў). Встановлено, що вони мають різний вигляд в області високих і низьких температур (рис. 4).


В 

При високих температурах, на зазначених діаграмах виявляються області, відповідні вкладами у діелектричний відгук від обсягу зерен кераміки та їх меж. З М Вў Вў-М Вў діаграм визначена зворотна величина діелектричної проникності зерен кераміки і показано, що її температурна залежність вище деякої температури Т0 (температура переходу в парафазия) має лінійний характер відповідно з законом Кюрі-Вейса (Оµ Вў = НД/Т-ТС). З спостерігається лінійної залежності 1/Оµ Вў (Т) оцінена температура Кюрі (МС). Показано, що ТО для досліджуваних складів кераміки слабо залежить від х і лежить в області 650 К. Температура Кюрі ТС швидко зменшується зі збільшенням х. Так, при х = 0.2 ТЗ в‰€ 450 К, а при х = 0.4 - близько 200 К.

В 
Спостережуваний характер співвідношення уявної і дійсної складових комплексного електричного модуля в низькотемпературної області (рис. 4) показує, що в кераміці даних твердих розчинів при низьких температурах має місце два механізми поляризації, пов'язаних відповідно з кристалічною матрицею (зерна кераміки) і з релаксорной (кластерної) системою. Остання з них характеризується широким спектром часів релаксації.



Рідкокристалічні еластомери мають у своїй структурі жорсткі фрагменти і тому володіють орієнтаційний по...


Назад | сторінка 2 з 7 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Криптографічні протоколи на еліптичних кривих
  • Реферат на тему: Види кривих у потенциометрическом титруванні
  • Реферат на тему: Лихоманка: причини, види температурних кривих
  • Реферат на тему: Рівняння кривих та поверхонь іншого порядку
  • Реферат на тему: Загальні рівняння кривих і поверхонь другого порядку