м в (7) в порівнянні з першим. Тому надалі будемо вважати, що коефіцієнти передачі по змінному і постійному струму рівні:? =? 0.
. Коефіцієнт посилення по струму
Коефіцієнт посилення по струму потужного транзистора істотно залежить від ступеня легування емітера і бази і від щільності инжектированного струму. Він залежить також від конфігурації емітера (через ефект відтискування струму) і від вертикальної геометрії транзистора (через ефект розширення бази).
Струм колектора I до як функція струму емітера I е виражається наступним чином:
I до =? I е + I к-б0 , ( 8)
де?-коефіцієнт підсилення по постійному струму в схемі із загальною базою; I к-б0 (або I ко ) -струм витоку колектора.
Припускаючи, що струм витоку пренебрежимо малий, можна виразити? як
? = I до /I е (9)
або
? =? ? п М, (10)
де? п - коефіцієнт переносу через базу; ?- Ефективність емітера; М - коефіцієнт множення при лавинному пробої колекторного переходу. Для ділянок, досить віддалених від області пробою колектора,
? =?? п. (11)
У схемі з загальним емітером коефіцієнт посилення по струму (струм постійний)
h п.р. е= I до /I б , (12)
де I б є базовий струм транзистора. Оскільки I е = I до + I б ,
h п.р. е =?/(1?). (13)
В обох випадках малосигнальний коефіцієнт посилення може бути отриманий дифференцированием рівняння (8) по I е :
? м.с. =? + I е . (14)
Коефіцієнт посилення по струму в режимі малого сигналу? м.с. є сумою коефіцієнта посилення по постійному струму? і похідною? по цьому струму. Відповідно малосигнальний коефіцієнт посилення по струму в схемі з загальним емітером
h 1м=h п.р. е/[1 I б (dh п.р. е/d I до ]. (15)
У першому наближенні коефіцієнт посилення по струму не залежить від емітерного струму. Більш точна теорія враховує ряд ефектів, які призводять до залежності? від I е : модуляцію провідності бази (ефект Вебстера), розширення бази (ефект Кірка). Більш того, ? є функцією напруги на колекторі внаслідок ефекту Ерлі.
Коли транзистор працює в якості ключа і знаходиться у включеному стані, тобто в режимі насичення, колектор зміщується в прямому напрямі. Такий звернений транзистор характеризується зворотним коефіцієнтом посилення в схемі із загальною базою? обр і зворотним коефіцієнтом посилення в схемі з загальним емітером.
2.1 ЗАЛЕЖНІСТЬ ЕФЕКТИВНОСТІ емітерів ВІД КОНЦЕНТРАЦІЇ ДОМІШКИ В НЬОМУ
Підвищення ступеня легування емітера призводить до зменшення ширини забороненої зони кремнію, збільшенню власної ефективної концентрації і пониженню часу життя. Всі ці ефекти певною мірою сприяють зниженню ефективності емітера.
Звуження забороненої зони
Щільність струму неосновних носіїв J р в емітер npn транзистора складається з дифузійної та дрейфовой складових:
J p =e? p pE - e D p , (16)
де поле
E = - ; (17)
...
