о елементи П-подібних вигинів, так як. Кількість елементів вигинів (з урахуванням двох приконтактних областей вигинів). Опір П-образні вигинів
Розрахуємо довжину прямолінійних ділянок:
Габаритна площа резистора:
Всі отримані значення представлені в таблиці 5:
Таблиця 5 - Розраховані значення резисторів з
Резісторlср, ммt, ммb, ммL1, ммВ1, ММS, мм2R14.70.24.8480.110.840.84R56.580.284.8480.141.41.1761.646
Для перевірки знайдемо дійсну питому потужність і похибка резисторів. Резистор спроектований задовільно, якщо:
1) питома потужність розсіювання не перевищує допустимого значення:
) похибка коефіцієнта форми не перевищує допустимого значення:
) сумарна похибка не перевищує допуску
Таким чином, можна сказати, що резистори спроектовані задовільно.
1.2 Розрахунок і проектування тонкоплівкових конденсаторів
В якості вихідних даних представлені наступні:
- відносна похибка ємності конденсатора;
- робоча частота;
- ємності конденсаторів.
Конденсатори С1 і С3 це навісні компоненти і їх не будемо розраховувати.
В якості матеріалу діелектрика вибираємо моноокись германію (ГОСТ 19602-74) з наступними параметрами:
;
Визначимо мінімальну товщину діелектрика за формулою (1):
(1)
де - коефіцієнт запасу електричної міцності;
Встановимо мінімальну товщину діелектрика:
Визначимо питому ємність конденсатора, виходячи з умов електричної міцності:
(2),
Для оцінки відносної температурної похибки скористаємося формулою (3).
(3)
Допустиму похибка активної площі конденсатора визначимо за формулою (4):
(4)
де - відносна похибка, обумовлена ??старінням плівки,
- відносна похибка питомої ємності,
Т.к. gt; 0, то це означає, що виготовлення конденсатора із заданою точністю і з даного матеріалу можливо.
Визначимо мінімальну питому ємність за формулою (5). Для забезпечення точності виготовлення у формулі будемо використовувати мінімальний по ємності конденсатор.
(5)
де - похибка довжини верхньої обкладки конденсатора;.
Т.к. на одній підкладці розташовано кілька конденсаторів, то розрахунок починаємо з конденсатора, що має найменший номінал ємності. Визначимо значення питомої ємності, при якому конденсатор буде займати мінімальну площу на підкладці. Задамо.
Остаточний вибір роблять за формулою (6):
, (6)
Мінімальним значенням є
Визначимо, яка товщина діелектрика відповідає обраній питомої ємності за формулою (7):
(7)
2. Монтаж навісних компонентів
резистор міцність транзистор
В якості навісних компонентів використовуються безкорпусні діоди і транзистори. Найпростішим варіантом безкорпусного транзистора є кристал, отриманий після скрайбування, до трьох контактних площадок якого приєднані тонкі дротяні висновки і який захищений від зовнішнього середовища краплею епоксидної смоли, огортає кристал з усіх боків. Такий транзистор приклеюється до підкладки поблизу тих плівкових елементів, з якими він має бути з'єднаний, після чого дротові висновки транзистора методом термокомпрессіі приєднуються до відповідних контактних площадок на підкладці.
Є два інших варіанти безкорпусних транзисторів, монтаж яких здійснюється інакше. Перший варіант називають транзистором з кульковими висновками. Кульки діаметром 50-100 мкм пов'язані з контактними майданчиками транзистора, а через них - з тим чи іншим шаром кремнію: емітерний, базовим або колекторним. Матеріалом для кульок служать золото, мідь або сплав Sn - Sb.
З того ж матеріалу на діелектричній підкладці плівковою ГІС робляться контактні стовпчики висотою 10-15 мкм і діаметром 150-200 мкм, розташовані в точній відповідності з розташуванням кульок на кристалі кремнію. З'єднання кульок зі стовпчиками здійснюється методом перевернутого монтажу: кристал транзистора перевертається «догори ногами», т. Е. Кульками вниз, і накладається кульками на стовпчики підкладки.
Поєднуючи тиск на кристал з підвищенням температури (т. е. по суті використовуючи термокомпрессіі), забезпечують міцне з'єднання кульок зі стовпчиками. Як бачимо, метод перевернутого монтажу - груповий: за одну операцію виходять всі три необхідні з'єднання. Кількість з'єднань при такому монтажі вдвічі менше, ніж при дротовому, ...
