T = 2 K крива Г майже не залежить від T, є свідченням того, що непружні процеси стають зневажливо малими. У цьому режимі ширина резонансної кривої чутлива до щільності неоднорідностей і розсіюванню на статичному неупорядоченном потенціалі (наприклад, на Si-донорах). При температурі T> 2 K величина Г зростає квадратично з температурою. Причому видно, що Г збільшується із зменшенням концентрації Ns, отже, температурна частина Г залежить від щільності 2D електронів, а не від безладу. А це в свою чергу передбачає нееластичні процеси, такі, як ee і e-ph (акустичні фонони) розсіювання. Але внесок e-ph розсіювання можна вважати малим, так як при тунелюванні за участю фононів із зростанням температури пік тунельної провідності збільшувався б.
В
Рис. 4 - Залежність ширини Г кривої F (V) від температури з роботи
По отриманню вольт-амперних характеристик РТД до теперішнього часу проведено багато робіт, в тому числі роботи з вивчення залежності ВАХ від температури. p align="justify"> У роботі [8] були досліджені ВАХ в діапазоні температур 10-200 К. В якості зразка дослідження виступали РТД діркового типу на основі гетероструктури Si0.6Ge0.4/Si (1 0 0), виготовлені методом хімічного парофазного осадження при зниженому тиску (LPCVD). Товщина Si0.6Ge0.4-квантової ями, Si-бар'єрів і Si0.6Ge0.4-спейсерних шарів -7, 4 і 15 нм відповідно. На рис.5 представлені отримані залежності ВАХ. br/>В
Рис. 5 - ВАХ при T = 10-200 К
З експериментальних ВАХ були отримані температурні залежності наступних параметрів РТД в прямому і зворотному напрямку: напруги зсуву піка (мал.2а), струму піка (рис.2b), струму долини (ріс.2c), відносини струм піку/струм долини (рис. 2d), різниці струму піка-струму долини (рис. 2 e). <В
Рис. 6 - Температурні залежності параметрів РТД
Напрузі зміщення піку поступово зменшується із збільшенням температури, а при Т = 110-120 К спостерігається різкий спад напруги, мінімальне значення Vpeak = 8 mV при T = 200 K. Причиною подібного стрибка автори назвали можливі зміни в процесі тунелювання, пов'язані із зменшенням енергії резонансного рівня важких дірок у квантовій ямі внаслідок збільшення величини їх ефективної маси. Залежності струмів піку і долини від температури мають немонотонний характер: збільшення до максимального значення при Т = 30-70 К, а далі-різкий спад в тому ж температурному діапазоні Т = 100-120 К, в якому спостерігався і спад напруги зсуву піку. Температурні залежності (Ipeak/Ivalley) і (Ipeak-Ivalley) слабко змінюються при низьких температурах, а по досягненні області спаду напруги зсуву піку терплять різкий стрибок до максимуму. При подальшому збільшенні температури відношення струму піку до струму долини зменшується. Такий характер залежності, на думку авторів статті, пов'язано з тим, що зростання тунельного струму відбувається пов...
