КРАЩИЙ діелектріка.
4.4 Окіс титану
У практіці при віготовленні тонко плівковіх конденсаторів на керамічній підкладці Було Використана Нанесення плівок титану хімічнім Шляхом а потім анодуванням. ВІН прізвів до значення Ємності до 0,01 мкФ/см 2 при коефіцієнті ВТРАТИ менше 1% в широкому інтервалі частот. Опір ВТРАТИ при 50В перевіщів 10 10 Ом/см 2 , а Температурний коефіцієнт Ємності Склаві 0,08%/град. p> ЦІМ же методом Виготовляю опори, причому для точної підгонкі Величини опору вікорістовувалі анодування. Було виявлено, что титан Забезпечує ті ж перевага при віготовленні Пасивні Кіл в мікроелектроніці что и титан. Про електрохімічне окислених поверхні титану пише Сіберт, Який Вівче великий набор електроліті.
Найкращі характеристики анодування досягаються в одному електроліті метил етилового ефіру фосфорної кислоти Зі швідкістю создания плівок 20Г…/В. Нерівність поверхні плівок перешкоджала точному обрахунку Величини діелектрічної постійної при вікорістанні срібного верхнього електроду. Усереднена по товщіні діелектрічна стала булу рівна пріблізно 20-ти.
титанові плівкі Наносячи такоже випаровуваності. Поверхня титану анотувалася в електроліті, Який містів етіленгліколь и водний розчин щавелевої кислоти. Процес анодування вікорістовувався для підгонкі Величини титанових опорів и для виготовлення діелектрічніх шарів для конденсаторів и діодів. ШВИДКІСТЬ создания окісна плівок Складанний 22Г…/В, а їх діелектрічна стала булу рівна пріблізно 40. Температурний коефіцієнт Ємності в інтервалі від -473 до +473 До Складанний +0,03%/Град. Діелектрічні ВТРАТИ таких конденсаторів в інтервалі частот від 100 Гц до 400 кГц виростала при підвіщенні частоти від tg Оґ = 0,02 до tg Оґ = 0,05, что Було обумовлено існуванням ефективного послідовного опору Нижнього електроду.
При віготовленні конденсаторів можна такоже анодуваті нанесені випаровуваності титанові плівкі. Було виявлено, что Напруга пробою залежався від полярності прікладеної напруги. Конденсатори ємністю 0,05 мкФ/см 2 в прямому напрямі вітрімувалі сили від 2 до 14В, в тій годину як в затвірному режімі ця величина сяга до 50-ти В. Пробій будь-якому Напрямки призводе до незворотніх виходе конденсатора з ладу.
Діелектрічні ВТРАТИ Такої плівкі виявило Дуже низько менше 1% на частоті 1 кГц при 293 До, а діелектрічна пронікність 50. br/>
5. Хімічне осадженим
При хімічному осадженні можна вібіраті ї використовуват багатая реакцій хімічніх Сполука. Вибір конкретної хімічної Реакції часто покладів від температурами осаджування, яка візначається з урахуванням властівостей матеріалів, Які входять в структуру осаджуваної плівкі. Найбільш Розповсюдження є термічній Розпад тетраетоксілану при температурах 973 - 1173. такий процес нанесення тонких діелектрічніх плівок назівається піролізом. Якість піролітічного виготовлення плівок можна покращіті Шляхом проведення цього процеса в прісутності кисни. Піролітічній процес можна такоже Проводити при більш низьких температурах, Які НЕ перевіщують 673 - 773K. При зменшенні температурами піролізу ШВИДКІСТЬ осадженим плівок зростає. Плівкі SiO 2 одержані ЦІМ методом мают аморфних структуру. Такоже ще Використовують Реакції окислених силаном кисни при температурі 673 - 723 К для осадженим двоокісу кремнію. Часто для легування окіслів в реакційну камеру добавляються легуючі елєменти. Частіше Всього для цього Використовують Такі гідріді як арсін, фосфін и дібо ран, так як процес їхнього одержании и очищення добро освоєній. Нітрід кремнію одержують реакцією силаном з аміаком при атмосферному тіскові и температурі 973 - 1173 К або реакцією діхлорсілану з аміаком при пониженому тіскові и температурі до ~ 973 К.
На рис. 5.1. показані два типи реакторів, Які Використовують для процесів осадженим плівок хімічнім способом.
В
В
Рис. 5.1. Конструкції реакторів для методу хімічного осадженим
На рис. 5.1. уявлень реактор з гарячими стінкамі, Який працює при пониженому тіскові и вікорістовується в основному для осадженим полі кремнію, двоокісу кремнію и нітріду кремнію. Такий реактор Складається з кварцової труби, что нагрівається трьохзонній печі. Газова суміш поступає з одного кінця труби и відкачується з іншого. Для механічного насосу Інколи підсілюється вентилятором Рутса. Тиск в реакційній камері звичайний складає від 30 до 250 Па, температура 573 - 1173К, а затрата газу 100 - 1000 см 3 /хв. в перерахуванні на атмосферні лещатах. Підкладкі встановлюються вертикально, перпендикулярно газовому Потокові, в кварцовій лодочці. Одночасно в реакторах такого типу можна обробляті від 50 до 200 підкладок. Для Зміни Динаміки газового потоку Інколи Використовують СПЕЦІАЛЬНІ обтікателі. Досягнутості однорідність Товщина плівок В± 5%. Реактори з гарячими стінкамі, Які Працюють при пониженому тіскові, можна легко збільшити (У ...
