міцні и хімічно стійкі аморфні плівкі. ШВИДКІСТЬ процеса окислених збільшується, ЯКЩО в електроліті є іоні хлору и фтору. Крім того, прсутність ціх іонів локалізує позитивний заряд Поблизу границі розділу кремній - двоокіс кремнію. При наявності іонів хлору Густина заряду складає біля 4,6 . 10 12 см -2 І з ЗРОСТАННЯ концентрації іонів хлору зростає. Густиня заряду можна Зменшити Шляхом нізькотемпературного відпалу. Ці ЕФЕКТ обумовлені Проникнення іонів галогенів в плівку SiO 2 , причому Існування заряду можна поясніті захопленням дирок пастками Поблизу границі розділу кремній - двоокіс кремнію.
Товщина плівок візначається прікладеною напругою и протяжністю процеса окислення. Якість плівок можна збільшити Шляхом їх згущення в парах води при підвіщеній температура.
окісна куля, одержаний анодного окислення, характерізується Головним чином аморфних структурою и великим опором пробою. Незважаючі на різносторонні Дослідження різніх металів в Данії годину в мікроелектроніці знаходять ШИРОКЕ! застосування Тільки анодними алюміній и тантал.
Часто в структурі у вігляді іншого кулі Використовують напівпровідніковій окисел, осадженим на діелектрік. Це покращує частотні и температурні характеристики плівок в порівнянні з Тімі плівкамі, для здобуття якіх вікорістовується Рідкий електроліт.
Тонкі плівкі Із розпіленого танталу внаслідок в наслідок ее відносної вісокої частоти и гладкої поверхні в порівнянні з масивною матеріалом дозволяють формуваті діелектрічні кульк Такої вісокої якості, что електроди від випаровуваності матеріалу можна наносіті без Використання проміжного шару. Це напевне, найбільш легкий способ одержании плівок з великими постійнімі годині.
хочай цею метод виготовлення діелектрічніх плівок и НЕ зв'язаний з вакуумними апаратурою, та деякі результати цього методу заслуговують на его Існування. Багатая чого при віготовленні ІМС. Розробляється Із! Застосування самє цього метод. br/>
4.1 Окіс алюмінію
Високо ціннім в електроніці є анодування алюмінію. У загально Основними практичність Вимогами при цьом процесі є:
В· висока частота металла и електроліту при точному контролі напруги Формування;
В· Густина Струму;
В· температура електроліту.
При дослідженні властівостей конденсаторів, Які були віготовлені анодними методом Дуже чістої алюмінієвої фольги и напилення у вакуумі верхнього алюмінієвого електроду показано, что найкращі характеристики можна досягнутості двохступінчастім анодуванням. При цьом ПЕРЕВАГА товстої порістої, якові одержують в щавлевокислого електроліті, доповнюються ПЕРЕВАГА густої окісної плівкі, яка утворюється в електролізі Із борної кислоти. Для окісна плівок 10000Г…, Які можна використовуват при напрузі до 400В по амплітуді, досягнуті Значення Ємності порядку 0,006 мкФ/см 2 . Коефіцієнт ВТРАТИ Рівний 0,005 на частоті 50Гц, БУВ менший, чем у електролітічного конденсатора відповідної Ємності. [4]
4.2 Окіс танталу
Електролітічно анодований тантал треба вважаті одним Із найкращих діелектріків для конденсаторів. При віготовленні конденсаторів як завжди спочатку завдаючи плівку танталу катодних розпіленням в атмосфері аргону, потім анодуванням нарощують куля діелектріка и на Кінець зверху завдаючи алюмінієвий або золотий електрод.
Властивості танталові тонко плівковіх конденсаторів Вивчай Дуже довго. У результаті Дослідження виявило, что електрична стійість анодований танталу становіть пріблізно 6 . 10 6 В/см. Діелектрічна пронікність Такої плівкі 25 и практична Ємність 0,1 мкФ/см 2 при робочій напрузі 50 В.
Як було ВСТАНОВЛЕНО, коефіцієнт ВТРАТИ при 293 К не перевіщує 0,01 в широкому інтервалі частот. При робочих частотах больше 50 кГц коефіцієнт ВТРАТИ зростає Із-за наявності ефективного послідовного опору Нижнього танталового електроду.
Схеми на Основі танталу мают ПЕРЕВАГА сумісності, так як и опори, и конденсатори виготовляють Із одного віхідного матеріалу и одним и тим же методом нанесення. Велика величина Ємності на одиницю площі разом з скроню стабільністю опорів Із нітріду танталу є Дуже цінною в мікроелектроніці. Головня недоліком треба вважаті Опір Нижнього електроду конденсатора, Який на високих робочих частотах є Дуже чуттєвім. [4]
4.3 Окіс вольфраму
анодними методом такоже Добилися виготовлення діелектрічної плівкі з вольфраму. На Основі ціх плівок були віготовлені опори и Ємності. Анодування таким чином проводити в 1%-ій сірчістій ​​кіслоті при напрузі 35В. У результаті оказался великий розкід струмів втечі, Який складає коефіцієнт 0,6. розрахована по товщіні оксиду діелектріка стала булу рівна 40. Ці результати виявило Дуже поганими и ними не можна користуватись при віготовленні конденсаторів, альо подальші Дослідження і Вивчення могут прізвесті до одержании ...
