кривій спаду фотопровідності проявляються два процеси: швидкий (П„ ≤ 1 мкс) і повільний (П„ ≥ 10 мкс), схожий з тим, що спостерігається на матеріалі, що пройшов тільки ТО. Однак після першого циклу ТО з загартуванням опір зростає більш, ніж на порядок у порівнянні з вихідним, а ВРФП падає до ~ 0.85 мкс, при цьому процес одностадійний. На матеріалах, де було відновлення частини ТД при повільному охолодженні після процесів-циклів попередньої ТО, дифузії золота і гарту ВРФП становило 4 мкс, а де не було (10 циклів попередньої ТО) - величина ВРФП склала лише 0.17 мкс. Таким чином, особливості прояву акцепторного стану золота помітні не тільки у величинах питомої опору (концентрації вільних носіїв) від числа циклів попередньої ТО, а й у величинах ВРФП від цього числа процесів-циклів.
Результати роботи перегукуються з результатами робіт [5, 6] про можливість існування складних дефектів на основі кисню і фосфору із золотом, але в нашому випадку такий висновок приходить їх аналізу експериментальних даних іншого змісту, ніж в роботах [5, 6]. Можливість отримання таких даних пов'язана як із застосуванням систематично послідовності оригінальних температурних впливів на матеріал, так і з вдалим співвідношенням концентрації ТД і фосфору в досліджуваному вихідному матеріалі кремнію.
Зауважимо, що при МО з піччю після ТО при 900, 950 В° C матеріал досить довго за часом знаходиться при знижених температурах 430 В° C і 500 В° C, при яких можливе формування класичних термодоноров на основі кисню і вуглецю [1, 7]. Окремо проведені досліди з витримкою при цих температурах протягом 1 год для 430 В° C і (0.5, 1, 2, 5 год) для 500 В° C показали, що при МО після першого циклу ВРФП t залишається на рівні вихідного, а r зменшується. І тільки при наступних циклах t починає поступово зменшуватися, доходячи до значення ~ 4 Г— 10 -2 від початкового t після восьми циклів при витримці по 5 год при 500 В° C. Величина r при цьому зберігається на рівні значень, що виникли після першого циклу. Ці відмінності щодо зміни параметрів {r, t} від тих, що відбуваються при температурах витримки 900 і 950 В° C і МО, наочно демонструють відміну облаштування внутрішніх силових полів визначаються дефектами матеріалу, які проявляться і в реалізації різних акцепторних станів золота при МО при подальшій дифузії його. Тобто експериментально щодо змін {r, t} можна якісно оцінити розходження в перетвореннях системи дефектів при різних температурах ТО; можна стверджувати, що в температурному інтервалі (950, 900 Вё 500 В° C) формується потужний канал рекомбінації носіїв, паралельно з освітою або руйнуванням дрібних ТД, за цю рекомбінацію що не відповідають. p> Висловлюємо подяку Воронову Ю.А. і Орлової Л.К. за надану можливість проведення стандартних технологічних процесів на кремнії в лабораторії кафедри В«МікроелектронікаВ» МІФІ. Дякуємо Сальника О.С. за надання початкового матеріалу.
У роботі [1] на прикладі просторово однорідного напівобм...
