на наступних етапах розробки пристрою може знадобитися зміна початкового представлення схеми. У цьому випадку будуть відкориговані і запису таблиці з'єднань.
Розглянемо реалізацію логічних елементів з використанням NMOS-транзисторів і PMOS-транзисторів.
На малюнку 2а представлені їх принципові електричні схеми. Коли сигнал Vx=0V, NMOS транзистор закритий. Тому струм через резистор R відсутня, і на виході Vf=5V. З іншого боку, коли Vx=5V, транзистор відкритий і на виході Vf встановлюється низький рівень напруги. Точне значення напруги на виході Vf в цьому випадку залежить від величини струму, що протікає через резистор і транзистор. Використання резистора в схемі інвертора обумовлено необхідністю обмежити струм, що протікає в ланцюзі при Vx=5V. У інтегральної схемотехніці в якості такого обмежувача зазвичай використовується транзистор. Використовуючи послідовне з'єднання NMOS-транзисторів, як показано на малюнку 2б, можна реалізувати логічний елемент І-НЕ. Якщо Vx1=Vx2=5V, обидва транзистора будуть відкриті і Vf буде дорівнює 0V. Але якщо або Vx1, або Vx2=0, то струм в ланцюзі буде відсутня і Vf буде дорівнює 5V.
Рис. 2 а) Схемна реалізація інвертора б) схемних реалізація логічного елемента І-НЕ
4. Моделювання роботи і параметрів створеного приладу
4.1 Virtuoso Analog Design Environment - інтерфейс і можливості
Моделювання або аналіз роботи пристрою, представленого принципової електричної схемою, проводиться в середовищі Analog Design Environment. Як було зазначено раніше, вхідними даними для неї є записи таблиці з'єднань схеми, на підставі яких будуються системи диференціальних рівнянь. У ході вирішення даних систем можуть бути отримані величини параметрів, що характеризують роботу моделируемого устройства.Design Environment підтримує моделювання з використанням різних рівнів абстракції моделей - від чисто поведінкового на верхньому системному рівні до точних, відкаліброваних за експериментальними даними на нижньому, найбільш детальному рівні. Рівні абстракції фізичного дизайну міняються від оціночних на ранніх стадіях, до фінальних трасування та екстракції. Кремнієвий аналіз, заснований на розширених моделях напівпровідникових приладів, прецизійної екстракції і засобах аналізу, дають адекватну інформацію протягом всього процесу проектування.
Залежно від складності та обсягу вирішуваних завдань, Vittuoso ADE (Analog Design Environment) може інтегрувати різні системи аналогового моделювання (Spice, Spectre, UltraSim, Multi-mode Simulation), обепечивает зворотну анотацію паразитних параметрів, що екстрагуються за допомогою Assura RC, підтримувати крос-пробінг між схемним введенням (Virtuoso Schematic Editor), топологічним редактором (Virtuoso Layout Editor) і системою аналізу результатів моделювання.
Рис. 4 а) Основні компоненти середовища проектування Virtuoso ADE
б) Діалогове вікно для вибору параметрів і методик моделювання
5. Д?? Стіженія межі класичних підходів з використанням ОДУ. Шляхи вирішення кризи
Класичні програми моделюванн...
