Теми рефератів
> Реферати > Курсові роботи > Звіти з практики > Курсові проекти > Питання та відповіді > Ессе > Доклади > Учбові матеріали > Контрольні роботи > Методички > Лекції > Твори > Підручники > Статті Контакти
Реферати, твори, дипломи, практика » Курсовые обзорные » Проект ділянки виготовлення чутливих елементів фоторезисторов на основі сульфіду кадмію

Реферат Проект ділянки виготовлення чутливих елементів фоторезисторов на основі сульфіду кадмію





ожливістю напилення на напівпровідникові пластини одного або декількох металів за одну операцію і сплавки напилень плівки металу і вакуумі для запобігання її від окислення, легкістю контролювання процесу напилення та можливістю отримання плівок металу різної товщини і конфігурації при напиленні металів із застосуванням масок.

Напилювання виконують і вакуумній установці з залишковим тиском під ковпаком порядку 6,5? 10 Па (5? 10 -6 мм. рт. ст.). Такий тиск вибирають для того, щоб між випаровується атомами металу і молекулами залишкового газу під ковпаком установки не відбувалося зіткнень, які призводять до утворення плівок порушеної структури.

У виробництві напівпровідникових приладів для осадження різних плівок на напівпровідникові пластини та інші підкладки використовують кілька моделей установок вакуумного напилення, які відрізняються один від одного різними конструктивними рішеннями, насамперед подколпачного пристрої, а також вакуумною системою, системою живлення контролю параметрів технологічного процесу та управління режимами роботи, транспортують і допоміжних пристроїв для випаровування або розпилення.

При термічному осадженні плівок і розпиленні в цих установках застосовують відповідно резистивні і електронно-променеві пристрої, при розпиленні іонним бомбардуванням - розрядні. Незважаючи на деякі недоліки (трудність випаровування тугоплавких матеріалів, висока інерційність, зміна співвідношення компонентів при випаровуванні сплавів) установки з електронно-променевими і особливо з резистивними випарниками досить широко використовуються в напівпровідниковому виробництві через простоту їх експлуатації. Тому основну увагу приділимо установкам з резистивними випарниками, базовою моделлю яких є установка УВН-2М. br/>

4.6 Скрайбування


З підкладки з обложеної на ній плівкою скрайбуванні вирізаються чіпи заданого розміру (норматив часу 25 хв на одну підкладку). Напівавтомат для скрайбування РК 10.11 призначений для нанесення сітки рисок на напівпровідникові пластини. Розламують пластини з нанесеними ризиками, прокочуючи їх гумовим валиком вручну або на спеціальних установках. Напівавтомат встановлений в закріпленому на столі скафандрі, який служить для створення мікроклімату. Працюють на напівавтоматі в гумових рукавичках, вбудованих в передню стінку скафандра. Висвітлюється робоче місце світильниками денного світла, встановленими у верхній частині скафандра. Нанесення рисок проводиться алмазним різцем, закріпленим у хитною опорі. p> сульфід кадмій електрофізичний вакуумний

4.7 Вихідний контроль параметрів В«чіпівВ»


Спочатку чіпи піддають візуальному контролю на якість покриття. Відзначають неоднорідності шару, плями, нерівності, ділянки з поганою адгезією. p align="justi...


Назад | сторінка 6 з 9 | Наступна сторінка





Схожі реферати:

  • Реферат на тему: Розробка технологічного процесу виробництва латунної стрічки марки Л63 товщ ...
  • Реферат на тему: Дослідження впливу параметрів MOCVD-осадження на структуру, електричні і ма ...
  • Реферат на тему: Оптимізація процесу напилення матеріалу в магнетронній системі розпилення
  • Реферат на тему: Ступінь окислення. Вплив методів отримання плівок SiO2 на їх властивості
  • Реферат на тему: Дослідження впливу параметрів установки нанесення на процес формування шару ...