u AS=21p PS=17u7 B GND VDD PMOS L=3u W=3u AD=21p PD=17u AS =45p PS=30uGND_3 GND_2 GND_1 GND_3 NMOS L=4u W=3u AD=45p PD=30u AS=27p PS=18uGND_1 A GND_3 GND_3 NMOS L=4u W=3u AD=27p PD=18u AS=45p PS=30uGND_3 A GND GND_3 NMOS L=4u W=3u AD=45p PD=30u AS=27p PS=18uGND B GND_3 GND_3 NMOS L=4u W=3u AD=27p PD=18u AS=45p PS=30uGND_4 B 12 VDD PMOS L=3u W=3u AD=45p PD=30u AS=21p PS=17u12 VDD VDD VDD PMOS L=3u W=3u AD=21p PD=17u AS=45p PS=30uVDD A VDD VDD PMOS L=3u W=3u AD=48p PD=32u AS=45p PS=30uGND_3 B GND_4 GND_3 NMOS L=4u W=3u AD=45p PD=30u AS=27p PS=18uGND_4 VDD GND_3 GND_3 NMOS L=4u W=3u AD=27p PD=18u AS=45p PS=30uVDD A GND_3 GND_3 NMOS L=4u W=3u AD=45p PD=30u AS=45p PS=30u
* Total Nodes: 12
* Total Elements: 32
* Total Number of Shorted Elements not written to the SPICE file: 0
* Output Generation Elapsed Time: 0.000 sec
* Total Extract Elapsed Time: 14.781 sec
. END
Після проведення симуляції отримуємо передавальну характеристику (малюнок 7).
Малюнок 7 - Результати моделювання витягнутого з топології схемного опису
З малюнка видно, що U 0=0, U 1=E=4 В, U П=1,85 В? E / 2, значить топологія побудована правильно.
Висновок
У курсовому проекті зроблено наближений розрахунок електричних параметрів КМОП-схеми «Искл-АБО». На основі типового технологічного процесу були розраховані електрофізичні та конструктивні параметри компонентів схеми. Проведено схемотехнічний аналіз у програмі T-Spice САПР Tanner. Розроблено топологічний креслення, здійснено його перевірка за допомогою вилучення текстового опису схеми і моделювання.
Список літератури
1Ефімов І.Є. Мікроелектроніка: Проектування, види мікросхем, функціональна мікроелектроніка: Учеб. посібник для пріборостроіт. спец. вузів./І.Є. Єфімов, І.Я. Козир, Ю.І. Горбунов.- М.: Вища. шк., 1987. - 416 с.
2Технологія НВІС: у 2-х кн./К. Могеб, Д. Фрейзер, У. Фічтнер, Л. Маркус, К. Стейдел, У. Бертрам; під ред. С. Зі.- М.: Світ, 1986. - 453 с.
Березін А.С. Технологія та конструювання ІМС: Уч. пособ. для вузів / А.С. Березін, О.Р. Мочалкіна.- М.: Радіо і зв'язок, 1983. - 232 с.
Методичні вказівки до виконання лабораторних робіт № 1-4 з дисципліни «Проектування і конструювання напівпровідникових приладів і інтегральних мікросхем» для студентів спеціальності 200100 «Мікроелектроніка і твердотільна електроніка» очної форми навчання / Воронеж, гос. техн. ун-т: Упоряд. Є.В. Бордаков, В.І. Пантеелев.- Воронеж: Воронеж. держ. техн. ун-т, 2006, - 45с.
Бордаков Є.В. Проектування топології і технології інтегральних мікросхем: Уче??. посібник. Ч.1./Є.В. Бордаков, В.І. Пантелєєв.- Воронеж: Воронеж. держ. техн. ун-т, 2005. - 243 с.
Бордаков Є.В. Проектування і конструювання напівпровідникових приладів і інтегральних мікросхем: Учеб. посібник./Є.В. Бордаков, В.І. Пантелєєв.- Воронеж: Воронеж. держ. техн. ун-т, 2004. - 226 с.
