p> Умови вибору елементів дільника:
, звідки
де, R2=100 (кОм)
Конденсатор вибираємо з умови Xc lt; lt; R1 + R2, при цьому похибка не повинна перевищувати 0,5 ел.град.:
де,, звідки
Ланцюжок С2, R3, R4 подібна C1, R1, R2, тому:
С1=С2=0,0328 (мкФ)
R1=R3=11 (Moм)
R2=R4=100 (кОм)
Стабілітрон VD1 повинен обмежувати вихідна напруга DA1 до рівня логічної одиниці. Для мікросхем ТТЛ напруга високого рівня має бути не менше 2,4В і не більше 5,5В. Цим умовам задовольняє стабілітрон КС139А:
т=3,9 (В), Icт=5 (мА)
Напруга на резисторі R5:
5=UвихDA1 - Uст=10-3,9=6,1 (В)
де, UвихDA1=10 (В) - максимальна вихідна напруга ОУ.
Звідки, R5=1.2 (кОм)
Для довжини імпульсу, який формується мікросхемою DD2.1 рівний 1мкс, вибираємо номінали времязадающей ланцюга:
8=240 (пФ), R29=10 (кОм)
Для гальванічної розв'язки СУ з мережею випрямляча використовуємо узгоджувальний трансформатор з Ктр=1.
Вибір елементів формувача імпульсів
Довжина імпульсів управління тиристорами приймаємо ry=50мкс.
Для мікросхеми К155АГ3 довжина імпульсу при С gt; 1000 (пФ):
, звідки
де, R27=100 (кОм)
Розрахунок і вибір елементів підсилювачів потужності імпульсів.
Оскільки всі підсилювачі потужності імпульсів однакові, то буде доцільно розрахувати тільки один з них, зібраний на транзисторах VT1 і VT2 - керуючий тиристором VS1.
Струм колектора у відкритому стані дорівнює струму управління тиристора:
kVT2=Iy=150 (мА), а напруга
Uке=Uжив=15 (В)
Виходячи з цих даних вибираємо npn транзистор КТ815А з параметрами:
Ik max=0.15 (A) ке max=25 (В) ке нас=0,6 (В)
h21 е=40
Uбе=5 (В)
Pк max=10 (Вт)
Струм бази VT2:
Як VT1 вибираємо високочастотний малопотужний транзистор КТ315Б:
Ik max=0.1 (A) ке max=25 (В) ке нас=0.4 (В)
h21 е=100
Uбе=6 (В)
Струм через резистор R28 приймемо IR28=200 (мкА), UR28=3.8 (B), звідки
Струм через резистор R29:
29=IR28-IбVT1=200-20=180 (мкА), звідки
Напруга імпульсу на вторинній обмотці імпульсного трансформатора Т1:
де, k=1 - коеф. передачі імпульсного трансформатора
=U2T1-UyVS1=14.4-12=2.4 (B), звідки
Застосуємо в якості резистора R37, резистор типу МЛТ - 1.
Обмежувальні резистори R23, R24, R25 приймемо МЛТ - 0,125-3кОм
Резистори R17, R18, R19, R26, R40 приймемо типу МЛТ - 0,125-1,5кОм
Діоди VD4, VD5, VD6 Uобр=15 (В) виберемо марки ГД107А
Токи споживані схемою:
напруга + 15В:
напруга - 15В:
Токи споживані мікросхемами:
1=IDD9=22 (мА)
IDD2=IDD3=66 (мА)=IDD5=102 (мА)=IDD7=20 (мА)
=26 (мА) 10=63 (мА)
I5=509 (мА)
Споживані потужності:
Загальна потужність споживана схемою:
=P + 15 + P - 15 + P5=7.305 + 0.225 + 2.545=10.075 (Вт)
.1.6 Розробка джерела вторинного електроживлення
Вимоги до ІВЕП наступні:
- Напруження на виході, В: +5, - 5, +15, - 15.
- Нестабільність напруги на виході ± 5%.
-зразкові потужність по всій СІФУ:
Для отримання стабілізованої харчування +5, +15 і - 15 В використовуємо відповідні мікросхеми стабілізаторів: КР142ЕН5А, КР142ЕН8Б і КР142ЕН9Б. Стабилизированное харчування - 5,2 в знімемо за допомогою стабілітрона КС451А. Для зниження напруги мережі і видачі застосуємо трансформатор ТС - 25А 220/27 В, з расслоённой на 4 частини вторинною обмоткою. Випрямні мости - моноблочні збірки КЦ405А. Для зниження пульсацій випрямленої напруги перед стабілізаторами поставимо фільтруючі ємності С=1000 мкФ
Список використаної літератури
1 Вітчизняні напівпровідникові прилади. Довідкове посібник.- М .: Солон Р, 2000.
Ковальов Ф.І., Мосткова Г.П. Напівпровідникові випрямлячі.- М .: Енергія, 1978.
Розанов Ю.К. Основи силової перетворювальної техніки.- М .: Енергія, 1979.
Анісімов Я.Ф. Судова силова напівпровідникова техніка.- Л .: Суднобудування, 1979.
Черепанов В.П., Хрульов А.К. Тиристори й їхні закордонні аналоги.- М .: РадиоСофт, +2002.
Руденко В.С., Сенько В.І., Чиженко І.М .. Основи перетворювальної техніки.- М .: Висш.школа, 1980.
Довідник з перетворювальної техніки. Под ред. І.М. Чиженко. К., «Техніка», 1978.
