ачі розмірів. Сушка дозволяє фоторезистом витримати дію сил деформації під час прояву. Найбільш поширена термічна сушка, температура і час якої підбирається залежно від марки фоторезиста і товщини нанесеного резистивного шару. p align="justify"> Наступним етапом є процес експонування - це формування заданого рельєфу в плівці фоторезисту за допомогою фотошаблона під дією актинічного випромінювання. Операцію проводять на установках експонування і суміщення. Для позитивних фоторезистов теоретично можна отримати елементи розміром 0,5 мкм. Для негативних ця величина дорівнює 4-5 мкм. p align="justify"> При використанні будь-якого фоторезиста необхідно для кожної одержуваної партії підбирати режим експонування і прояви. Час експонування для даного обладнання визначається точністю передачі розмірів елементів з фотошаблона на фоторезист. З цією метою знімають характеристичну криву точності передачі розмірів залежно від часу прояви при фіксованому часу експонування і залежно від часу експонування при фіксованому часу прояви. При правильному підборі часу експонування край зображення повинен бути чітким, а Малюнок фоторезиста повинен геометрично відповідати рисунку фотошаблона. br/>В
Малюнок 1.11 - Схематичне зображення рельєфу для негативного (а) і позитивного (б) фоторезистов
Цифрі 1 відповідає правильно підібране час експонування, цифрі 2 - недостатній час експонування, цифрі 3 - завищене час експонування. При контролі у разі 2 спостерігається розмитість краю фоторезиста, у разі 3 - подвійний край (клин фоторезиста). p align="justify"> Хіміко-фотографічна обробка проводиться при зануренні в розчин проявника, витримці в парах або за допомогою струменевих установок, забезпечених форсунками для розпилення проявника. Для тонких шарів фоторезиста достатня обробка в нерухомій ванні при русі проявника щодо шару фоторезиста. Час прояву шару залежить від його товщини. Після прояви плати промиваються в проточній воді під тиском порядку 0,14 МПа, так як гідрофобний розчинник видаляється з плати при механічному впливі води. p align="justify"> Друга сушка (задубліваніе) у вигляді термообробки фотослоя дозволяє видалити виявляє розчинник і поліпшити адгезію до підкладки. Сушка проводиться в інтервалі температур 110 ... 180 В° С. Від температури, характер її зміни і часу сушіння залежить точність передачі розмірів зображення. При термозадубліваніі можуть спотворитися розміри елементів захисної полімерної маски в порівнянні з фотошаблоном, що особливо позначається при товщині фоторезиста більше 0,8 мкм. Для точної передачі малих розмірів (1 ... 2 мкм) щоб уникнути опливанія країв фотослоя рекомендується застосовувати плавне або ступінчасте підвищення температур. Примірний режим обробки позитивних фоторезистов: 10 ... 15 хв витримка після прояву, сушка 110 .. 130 В° С 30 хв, потім сушка 150 ... 180 В° С не менше 30 хв. Позитивні фоторезисти можна довгостроково термообрабативают при високих температура...
